高翠华
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 耗尽型选择性掺杂异质结晶体管
- 1990年
- 设计和研制了耗尽型选择性掺杂异质结晶体管。外延选择性掺杂材料是由本所Fs-Ⅲ型分子束外延炉生长的。制作器件的材料在室温下,霍尔测量的电子迁移率为6500cm^2/v·s,二维薄层电子浓度n_s=9×10^(11)cm^2。在77K时μ_n=75000cm^2/v·s。测量了具有栅长1.2—1.5μm,栅宽2×180μm耗尽型异质结器件的直流特性和器件的跨导,室温下g_m=110～130ms/mm,而低温77K时,可达到200ms/mm。
- 陈定钦张晓玲熊思强高翠华周帆
- 关键词：异质结晶体管掺杂晶体管
- 6H-SiC高压肖特基势垒二极管被引量：1
- 2001年
- 在可商业获得的 N型 6 H - Si C晶片上 ,通过化学气相淀积 ,进行同质外延生长 ,在此结构材料上 ,通过热蒸发 ,制作 Ni/6 H- Si C肖特基势垒二极管 .测量并分析了肖特基二极管的电学特性 ,结果表明 ,肖特基二极管具有较好的整流特性 :反向击穿电压约为 45 0 V,室温下 ,反向电压 VR=- 2 0 0 V时 ,反向漏电流 JL=5× 10 - 4 A· cm- 2 ;理想因子为 1.0 9,肖特基势垒高度为 1.2 4— 1.2 6 e V ,开启电压约为 0 .
- 王姝睿刘忠立徐萍葛永才姚文卿高翠华
- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管6H-SIC
- InGaN/AlGaN双异质结绿光发光二极管被引量：8
- 2000年
- 报道了用 LP- MOVPE技术在蓝宝石 ( α- Al2 O3)衬底上生长出以双掺 Zn和 Si的 In Ga N为有源区的绿光 In Ga N/Al Ga N双异质结结构 ,并研制成功发射波长为 52 0— 540 nm的绿光LED.
- 陆大成韩培德刘祥林王晓晖汪度袁海荣王良臣徐萍姚文卿高翠华刘焕章葛永才郑东
- 关键词：氮化镓双异质结
