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赵志飞

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 1篇电感线圈
  • 1篇电路
  • 1篇形貌
  • 1篇形貌可控
  • 1篇有序阵列
  • 1篇原位生长
  • 1篇振荡电路
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置电路
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇位错
  • 1篇显影液
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米片
  • 1篇金膜
  • 1篇晶体薄膜
  • 1篇活性基
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇感器

机构

  • 3篇中国科学院合...

作者

  • 3篇赵志飞
  • 2篇文龙
  • 2篇郭浩民
  • 1篇步绍姜
  • 1篇李中波
  • 1篇刘柱
  • 1篇刘长菊
  • 1篇李新化
  • 1篇史同飞
  • 1篇肖正国
  • 1篇尹志军
  • 1篇李新华
  • 1篇梁婷
  • 1篇曾雪松
  • 1篇孟国文
  • 1篇王玉琦

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途
本发明公开了一种形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途。方法为先对惰性导电基底蒸金，再于其上涂敷正性光刻胶并干燥，得到其上覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底，接着，先将具有有序阵列透光图案的光刻板覆盖于其...
李中波孟国文赵志飞梁婷
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基于非晶磁芯线圈的磁敏传感器及其工作方法
本发明公开了一种基于非晶磁芯线圈的磁敏传感器及其工作方法。传感器由非晶磁芯磁敏元件和工作电路组成，其中的非晶磁芯磁敏元件为片状非晶材料层叠构成的块状磁芯(1)外依次置有电感线圈(2)、绝缘层(3)和偏置线圈(4)，工作电...
郭浩民文龙刘长菊赵志飞肖正国曾雪松刘柱李新化尹志军史同飞王玉琦
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一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法
本发明涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法，使用分子束外延设备在预处理的Si(111)衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱，之后降低温度使Ga液滴固化，气-液-固机制（Vapor-Liquid-Solid,...
赵志飞李新华文龙郭浩民步绍姜
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