您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 1篇电感线圈
  • 1篇电路
  • 1篇原位生长
  • 1篇振荡电路
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置电路
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇位错
  • 1篇晶体薄膜
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇感器
  • 1篇被覆
  • 1篇测频
  • 1篇场强
  • 1篇传感
  • 1篇传感器
  • 1篇磁场
  • 1篇磁场强度
  • 1篇磁敏

机构

  • 2篇中国科学院合...

作者

  • 2篇文龙
  • 2篇赵志飞
  • 2篇郭浩民
  • 1篇步绍姜
  • 1篇刘柱
  • 1篇刘长菊
  • 1篇李新化
  • 1篇史同飞
  • 1篇肖正国
  • 1篇尹志军
  • 1篇李新华
  • 1篇曾雪松
  • 1篇王玉琦

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种在Si基片上外延生长GaAs薄膜的方法
本发明涉及一种Si基生长GaAs薄膜分子束外延的方法,使用分子束外延设备在预处理的Si(111)衬底上先自催化生长1μm的GaAs纳米柱,之后降低温度使Ga液滴固化,气-液-固机制(Vapor-Liquid-Solid,...
赵志飞李新华文龙郭浩民步绍姜
文献传递
基于非晶磁芯线圈的磁敏传感器及其工作方法
本发明公开了一种基于非晶磁芯线圈的磁敏传感器及其工作方法。传感器由非晶磁芯磁敏元件和工作电路组成,其中的非晶磁芯磁敏元件为片状非晶材料层叠构成的块状磁芯(1)外依次置有电感线圈(2)、绝缘层(3)和偏置线圈(4),工作电...
郭浩民文龙刘长菊赵志飞肖正国曾雪松刘柱李新化尹志军史同飞王玉琦
文献传递
共1页<1>
聚类工具0