赵彦桥
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学金属学及工艺更多>>
- 快速热处理在直拉硅内吸杂技术中的应用
- 2006年
- 硅片直径的不断增大，特征线宽的不断减小，吸除器件有源区域内的金属杂质至关重要。传统的内吸杂已经不能完全满足器件工艺的要求，因此快速热处理技术被引入到直拉硅片的内吸杂工艺中。快速热处理可以使空住在硅中按深度分布，在后续的热处理中促进氧沉淀的形成，从而得到理想的清洁区和氧沉淀密度。探索快速热处理的条件以达到良好的内吸杂效果，具有重要的实用意义。
- 孙世龙赵丽伟赵彦桥石义情郝秋艳刘彩池
- 关键词：直拉硅氧沉淀
- PL Mapping技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布被引量：1
- 2006年
- 采用PL Mapping技术,检测6英寸SI-GaAs晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况。本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富信息,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;对比样品局部发光强度信号和发光峰位的变化曲线图及化学腐蚀图片,进一步讨论由于缺陷而造成的样品均匀性的变化。
- 赵彦桥韩彦辉杨燕萍郝秋艳刘彩池
- 关键词：SI-GAAS光谱分析
- 大直径SI-GaAs中的缺陷分布
- 本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;然后用金相显微镜检测AB腐蚀后样品中的...
- 赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠
- 关键词：SI-GAAS金相显微镜位错密度
- 文献传递
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 2006年
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- 大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布
- GaAs是发展最快的第二代化合物半导体材料,具有迁移率高、直接跃迁型能带结构等优点,适合制造高频、高速器件和电路。作为基础半导体材料的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)市场需求很大,其相关电子器件已发展到光通讯、卫星通讯、网...
- 赵彦桥
- 关键词：位错微缺陷
- 文献传递
- 快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响
- 对重掺As硅片进行快速热处理,发现快速热处理对重掺As硅片中氧沉淀行为有一定的影响.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度缓慢增大.
- 孙世龙刘彩池郝秋艳滕晓云赵丽伟赵彦桥王立建石义情
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
- 2007年
- 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
- 赵彦桥刘彩池郝秋艳孙卫忠
- 关键词：SI-GAAS位错微缺陷
