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苗启林

作品数：3 被引量：5H指数：2
供职机构：西安理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇SI
  • 2篇CU
  • 1篇微观形貌
  • 1篇金属诱导
  • 1篇金属诱导晶化
  • 1篇晶化
  • 1篇晶化过程
  • 1篇溅射
  • 1篇AL
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇西安理工大学

作者

  • 3篇李洪涛
  • 3篇苗启林
  • 3篇蒋百灵
  • 2篇曹政
  • 2篇杨波
  • 2篇蔡敏利
  • 1篇陈迪春

传媒

  • 1篇金属热处理
  • 1篇功能材料
  • 1篇第六届中国热...

年份

  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响被引量：3
2010年
基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火试验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明,Al诱导Si薄膜晶化的效果最好,Cu次之,Ni诱导Si薄膜晶化的效果较差;Al可在退火温度为400℃时诱导Si薄膜晶化,且随退火温度的升高Si的平均晶粒尺寸增大;Cu-Si薄膜的内应力较大和Ni-Si薄膜中Ni/Si界面处难以形成NiSi是Cu、Ni诱导Si薄膜晶化效果较差的主要原因。
蒋百灵李洪涛蔡敏利苗启林杨波
关键词：硅薄膜退火晶化过程
本底真空度对磁控溅射Cr/C镀层微观形貌及结合强度的影响被引量：2
2010年
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与结合强度的变化。结果表明,随本底真空度的降低,Cr/C镀层中物理混合界面层和Cr金属打底层的厚度显著减小;镀层结合强度随本底真空度的降低显著下降,物理混合界面层、Cr金属打底层厚度的减小以及镀层表面孔洞等缺陷增多、致密度变差等共同导致了其结合强度的下降。
李洪涛蒋百灵陈迪春曹政蔡敏利苗启林
退火温度对Al、Cu、Ni诱导Si薄膜晶化进程的影响
基于金属诱导晶化方法，利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样品进行了退火实验并分析了退火后薄膜物相结构的变化规律。结果表明：Al诱导Si薄膜晶...
蒋百灵李洪涛杨波曹政苗启林
关键词：退火温度硅薄膜金属诱导晶化
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