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江滢

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 2篇GAN
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇MOSFET

机构

  • 2篇大连理工大学
  • 1篇德岛大学

作者

  • 2篇江滢
  • 1篇王青鹏
  • 1篇王德君
  • 1篇敖金平

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN MOSFET的设计制作及其表征
2012年
探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析。实验结果表明,采用掺杂A1GaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm^2·V^(-1)·s^(-1),界面态密度达1.31×10^(11)个/(cm^2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构。
王青鹏江滢敖金平王德君
GaN基场效应晶体管的器件隔离技术研究
氮化镓(GaN)半导体具备宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场及通过异质结结构形成高电子密度的二维电子气(2DEG)等材料特性，在电力电子器件应用，特别是高温、高频器件领域具有独特的优势。AlGaN/GaN异质结场...
江滢
关键词：场效应晶体管等离子体氮化镓
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