您的位置： 专家智库 > >

林宏

作品数：49 被引量：5H指数：1
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 20篇刻蚀
  • 20篇互连
  • 19篇空气隙
  • 13篇互连线
  • 11篇铜互连
  • 10篇填充金属
  • 9篇金属互连
  • 9篇硅片
  • 7篇电镀
  • 7篇金属互连线
  • 6篇电镀铜
  • 6篇镀铜
  • 6篇铜互连线
  • 6篇刻蚀工艺
  • 6篇半导体
  • 5篇栅极
  • 5篇气体
  • 5篇刻蚀设备
  • 4篇铜氧化物
  • 4篇图形化

机构

  • 49篇上海集成电路...
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 49篇林宏
  • 7篇王伟军
  • 5篇左青云
  • 4篇李铭
  • 3篇姚嫦娲
  • 2篇胡正军
  • 2篇黄仁东
  • 2篇张远
  • 1篇李佳青
  • 1篇曾绍海

传媒

  • 1篇复旦学报（自...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 10篇2017
  • 5篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
共 49 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
APF的侧墙形成方法
本发明公开了一种APF的侧墙形成方法，在APF层形成沟槽结构之后，依次形成一层保护膜层和一层牺牲层，随后去除沟槽结构顶部和底部的牺牲层和保护膜层，保留沟槽结构侧壁的牺牲层和保护膜层，最后去除沟槽结构侧壁的牺牲层而保留保护...
王伟军林宏姚嫦娲
文献传递
一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法
本发明公开了一种用于半导体铜互连工艺的电镀铜膜的处理方法，通过先采用标准的铜后道互连工艺集成方案，完成所有层次的铜后道互连工艺，再针对已进行180℃及以下温度第一次退火处理的电镀铜膜增加一次在特定阈值之上较高温度的整体退...
林宏
文献传递
一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法
本发明提供了一种具有空气隙的金属互连层结构及其制备方法，包括：位于衬底表面的由金属互连线线和填充于其中的填充金属构成的金属互连层；金属互连层的金属互连线线侧壁和填充金属之间具有阻挡层；金属互连线线之间具有空气隙；以及在阻...
林宏
文献传递
55nm双大马士革结构中电镀铜添加剂的研究被引量：5
2018年
本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核,提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口,使该产品满足集成电路制造生产线的要求.
曾绍海林宏陈张发李铭
关键词：电镀液添加剂铜互连
一种空气隙/铜互连结构的制造方法
一种空气隙/铜互连结构的制造方法，其包括提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺，接着在半导体衬底上形成常规的第一介质/铜互连结构；对常规第一介质/铜互连结构在含氮的氛围中进行表面处理，在铜互连线表面形...
左青云林宏李铭
文献传递
一种低应力钽氮薄膜的制备方法
本发明涉及一种可用作栅电极且厚度均匀的低应力钽氮薄膜的制备方法，结合低应力钽氮成膜工艺和物理反刻工艺，在保证成膜工艺和反刻工艺的等离子体的水平分布一致或接近的前提下，钽氮薄膜片内均匀性得到有效控制。能够获得小于600MP...
林宏
文献传递
一种半导体结构的形成方法
本发明公开了一种半导体结构的形成方法，包括：在半导体衬底上形成硬掩模层和鳍形结构的光刻图形；对硬掩模层和半导体衬底进行图形化，获得具有陡直侧壁形貌的鳍形结构；在鳍形结构的侧壁表面形成保护层；对鳍形结构下方的半导体衬底进行...
王伟军林宏
文献传递
图像传感器及其深沟槽和硅通孔的制程方法
本发明提供一种图像传感器及其深沟槽和硅通孔的制程方法，深沟槽和硅通孔的制程方法包括：提供像元硅片；在像元硅片的第二侧进行硅衬底减薄处理；在像元硅片的第二侧形成深沟槽；于深沟槽内填充有机物；在像元硅片的第二侧上涂布光刻胶；...
林宏
文献传递
一种双金属栅极的制备方法
本发明提供了一种双金属栅的制备方法，在第一栅极区和第二栅极区同时完成多晶硅的去除工艺、高介电常数介质的沉积工艺和金属覆盖层的沉积工艺，减少了重复的工艺步骤，而且保证了栅极尺寸、栅极形貌和栅极氧化层的一致性；此外，采用空气...
林宏
一种双金属栅极的形成方法
本发明公开了一种双金属栅极的形成方法，属于半导体制造技术领域，本发明同时对第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极进行去除工艺，接着同时在第一栅极沟槽以及第二栅极沟槽内进行高介电常数介质层的沉积工艺，从而保证了栅极尺寸、栅极形貌...
林宏
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0