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左青云

作品数：80 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 79篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 11篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 23篇刻蚀
  • 16篇电极
  • 16篇互连
  • 15篇衬底
  • 14篇传感器
  • 13篇淀积
  • 12篇介质层
  • 12篇金属
  • 12篇空气隙
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 11篇湿度传感器
  • 11篇互连线
  • 11篇存储器
  • 10篇湿敏
  • 10篇湿敏材料
  • 9篇电路
  • 9篇图形化
  • 8篇石墨
  • 8篇叉指电极

机构

  • 80篇上海集成电路...
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇上海华力微电...

作者

  • 80篇左青云
  • 44篇李铭
  • 32篇康晓旭
  • 23篇曾绍海
  • 9篇袁超
  • 8篇黄仁东
  • 5篇卢意飞
  • 5篇林宏
  • 4篇赵宇航
  • 3篇周伟
  • 3篇范春晖
  • 2篇李佳青
  • 2篇王全
  • 2篇师兰芳
  • 1篇易春艳
  • 1篇蒋宾
  • 1篇吕杭炳
  • 1篇朱建军

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 9篇2019
  • 9篇2018
  • 11篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 9篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MEMS牺牲层结构制造方法
根据本发明的MEMS牺牲层结构制造方法包括：金属层形成步骤；牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，用于改善硅片表面特性；牺牲层沉积步骤，用于沉积牺牲层；支撑孔图形化步骤，用于实现在牺牲层内的支撑孔图形化；以及牺牲层后处理步骤，用...
康晓旭左青云李佳青
文献传递
一种形成石墨烯互连线的方法
本发明提供一种形成石墨烯互连线的方法，其包括以下步骤：提供目标衬底；接着在目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层；在碳源层上淀积金属催化层；然后在预设温度下采用退火工艺将淀积的碳源层转化为石墨烯层；随后去除金属催化层；最后...
左青云康晓旭李铭
一种MEMS麦克风结构及其制造方法
本发明公开了一种MEMS麦克风结构，其包括具有腔体的半导体衬底；具有与腔体相通的通孔的第一介质层；位于通孔上方且至少部分与第一介质层的上表面接触的下电极振动膜，下电极振动膜通过下电极连接部引出；以及具有绝缘层的上电极结构...
袁超康晓旭左青云
文献传递
一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法
本发明公开了一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法，包括：在硅衬底上依次淀积第一介质层薄膜，第一金属栅薄膜和第一高K金属薄膜；图形化第一高K金属薄膜，形成第一高K金属图形；淀积第二介质层薄膜并平坦化；在上述...
曾绍海黄仁东左青云李铭夏亮
文献传递
一种可实现多值存储的阻变存储器
一种可实现多值存储的阻变存储器，其包括半导体衬底、N-1组双层结构以及位于N-1组双层结构上的顶电极；其中，N-1组双层结构由一个电极和一层位于所述电极上的阻变层组成，N-1组双层结构位于衬底上且自下而上依次层叠，N为大...
范春晖左青云周伟
一种三维存储器及制造方法
本发明公开了一种三维存储器，包括：形成在衬底上的多层水平导电电极，以及形成在所述水平导电电极之间的隔离介质层；所述水平导电电极之间竖直设有两个多层结构，两个所述多层结构的内侧设有竖直导电电极，所述多层结构由外而内包括选通...
左青云赵宇航李铭
文献传递
一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法
本发明提供一种高压应力氮化硅薄膜的制备方法，包括：将半导体器件层置于反应腔内；开启偏压功率源，设定偏压功率，设定反应温度，通入反应气体，在半导体器件层上淀积氮化硅薄膜；关闭偏压功率源，将反应腔内的残余气体抽空；保持反应温...
曾绍海左青云
文献传递
氧化钽阻变存储器的初始化电压调制
2021年
采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。
官郭沁邹荣左青云田盼吕杭炳田志王奇伟曾敏杨志
关键词：氧化钽
一种形成空气隙/铜互连的工艺方法
一种形成空气隙/铜互连的工艺方法，其包括提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺，接着在半导体衬底上形成常规的第一介质/铜互连结构；采用刻蚀设备刻蚀铜互连线中间的第一介质；其中，在刻蚀第一介质过程中采用...
左青云林宏李铭
文献传递
一种湿度传感器及制造方法
本发明公开了一种湿度传感器及制造方法，通过在湿度传感器的叉指电极下面形成开口空腔，使湿敏材料层的底部与外界环境连通，可增加湿敏材料与外界环境之间的接触面积，缩短水分子运动的路径，从而可有效提高湿度传感器的响应速度，提升湿...
左青云康晓旭李铭
文献传递
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