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李爽

作品数：57 被引量：18H指数：3
供职机构：山东农业大学更多>>
发文基金：四川省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 44篇专利
  • 7篇学位论文
  • 6篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 5篇经济管理
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇文化科学
  • 2篇农业科学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 17篇导通
  • 17篇半导体
  • 13篇导通电阻
  • 13篇电阻
  • 9篇漂移区
  • 9篇二极管
  • 8篇击穿电压
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 7篇半导体器件
  • 7篇槽栅
  • 7篇场板
  • 6篇电场
  • 6篇电荷
  • 6篇纵向电场
  • 6篇漏电流
  • 5篇氧化物
  • 5篇图像
  • 5篇埋层
  • 5篇功率器件

机构

  • 48篇电子科技大学
  • 9篇山东农业大学
  • 1篇遵义医学院
  • 1篇成都市新都区...

作者

  • 57篇李爽
  • 39篇李泽宏
  • 39篇任敏
  • 33篇陈哲
  • 33篇曹晓峰
  • 23篇陈文梅
  • 16篇张波
  • 16篇张金平
  • 16篇高巍
  • 11篇罗蕾
  • 11篇李家驹
  • 10篇谢驰
  • 4篇傅志中
  • 4篇李晓峰
  • 4篇周宁
  • 2篇徐振珍
  • 2篇蔡果
  • 1篇李春梅
  • 1篇邓燕
  • 1篇吴士健

传媒

  • 1篇乡镇企业研究
  • 1篇农村农业农民
  • 1篇心血管病学进...
  • 1篇岱宗学刊（泰...
  • 1篇哈尔滨职业技...
  • 1篇湖北开放职业...

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 9篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 23篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种集成沟槽肖特基的MOSFET
本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成，位于MOSFET槽型栅极...
李泽宏李爽陈文梅陈哲曹晓峰李家驹罗蕾任敏
文献传递
一种沟槽结构的VDMOS
本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种沟槽结构的VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹着的两个或两个以上的多晶硅岛，这些多晶硅岛中存储着负电荷。由于多晶硅岛被绝缘层包围，负电荷将固定在多晶硅岛内。每个多晶...
任敏李爽李家驹罗蕾李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件
本发明属于功率半导体器件技术领域，具体的说涉及一种具有抗单粒子效应的VDMOS器件。本发明的主要技术方案为采用的技术方案主要为在栅极下方的外延层中设置与源极相连的第二导电类型半导体柱，产生横向电场，改变空穴的流经路径，从...
任敏蔡果杨珏琳曹晓峰陈哲李爽李泽宏张金平高巍张波
文献传递
心理资本管理视角下高校思政教育路径探析
2020年
心理资本是个体成长和发展过程中所表现出来的积极心理品质,心理资本管理对大学生的心理健康、专业学习以及就业创业起着重要的保护作用。立足高校思政教育工作实际,通过梳理已有的实证研究,从心理资本开发、保护以及利用等维度探索大学生思想政治教育的创新路径,以期全面助力大学生的成长成才。
刘立敏徐振珍李爽
关键词：大学生思想政治教育心理资本
一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管。本发明的二极管包括N型重掺杂单晶硅衬底、N‑外延层、阴极电极和阳极电极；N‑外延层上层两侧具有N型重掺杂区，N型重掺杂区下表面连接有P型埋层；...
任敏陈哲曹晓峰李爽李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种积累型DMOS
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型DMOS。本发明的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内嵌入场板，可以实现电荷平衡，在击穿电压相同的情况下，降低器件的导通电...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
文献传递
一种功率器件的结终端结构
本发明属于半导体技术，特别涉及一种功率器件结终端结构。该结构包括位于N型漂移区2中的P型场限环3，及位于N型漂移区2上方的氧化层中的数个多晶硅岛。通过非均匀存储于多晶硅岛内的电荷调制半导体表面的电场分布，使表面电场分布更...
任敏李爽李家驹罗蕾李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种体内栅型MOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种体内栅型MOS。传统功率MOS器件的栅极和沟道位于器件表面或接近表面，源极区域也通常位于器件表面，而该发明定义一种新型沟道导通方式，将栅极和源极区域、漏极区域完全置于器件体内，并...
李泽宏陈哲曹晓峰李爽陈文梅任敏
文献传递
时滞四元数神经网络的稳定性与同步性
近年来,随着数域的扩展,实值神经网络（RVNNs）、复值神经网络（CVNNs）和四元数神经网络（QVNNs）成为人工神经网络的重要组成部分。目前,RVNNs和CVNNs已经在模式识别、量子通信和光电子学得到了大量应用。众...
李爽
关键词：混合时滞LYAPUNOV-KRASOVSKII泛函
一种沟槽型VDMOS
本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种沟槽型VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹的多晶硅柱，多晶硅柱中存储着均匀负电荷。多晶硅柱的形状为上宽下窄，其与硅片间的二氧化硅的厚度由上至下增加。器件反向阻断时，...
任敏李爽钟子期包惠萍李泽宏张金平高巍张波
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