孙海知
- 作品数：5 被引量：12H指数：2
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 快速热处理对重掺锑硅片中氧沉淀的影响
- 对重掺锑硅片进行不同条件的快速热处理,发现快速热处理有效地增强了间隙氧的沉淀。氧沉淀的密度随着热处理温度的提高而增大,随着降温速度的增加而增大。清洁区的宽度随着高温保持时间的延长而增大,随着降温速度的增大而减小。
- 孙世龙郝秋艳滕晓云王海云孙海知刘彩池
- 关键词：氧沉淀
- 文献传递
- 太阳电池用晶体硅中的氧和金属杂质对电池性能的影响
- 本文采用不同的热处理工艺，研究了氧沉淀对电池性能的影响。并通过高温扩散的方法在硅衬底内引入不同量的Cu、Fe、Ni 金属杂质，研究了这三种金属杂质对电池性能的影响。
对单晶硅片做750℃～1050℃3h 单步退...
- 孙海知
- 关键词：太阳电池晶体硅氧沉淀金属杂质电池性能
- 文献传递
- 多晶硅太阳电池酸腐表面织构的研究被引量：8
- 2007年
- 采用酸腐多晶Si片的方法,获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液,并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统,分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和反射率。结果表明,酸腐多晶Si表面分布均匀的蚯蚓状腐蚀坑,反射率很低,在等离子增强化学气相沉积(PECVD)Si3N4减反射膜后,反射率大大下降。
- 王立建刘彩池孙海知郝秋艳
- 关键词：表面织构太阳电池
- 太阳电池用多晶硅中的氧沉淀对电池性能的影响
- 氧是太阳电池用铸造多晶硅的主要杂质.本文通过傅立叶红外吸收光谱,准稳态光电导衰减少子寿命测试仪和太阳电池测试仪研究了硅衬底中的氧沉淀对电池性能的影响.在对硅片做了不同温度和步骤的退火后,发现铸造多晶硅退火特性与直拉单晶硅...
- 孙海知刘彩池张光春郝秋艳王立建施正荣
- 关键词：太阳电池氧沉淀多晶硅电池性能
- 文献传递
- 快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响被引量：3
- 2008年
- 利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响。采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测量样品的少子寿命。实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降。氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变。
- 陈玉武郝秋艳刘彩池王立建孙海知赵建国
- 关键词：氮化硅RTP太阳电池
