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周振宇

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇半导体
  • 2篇单轴
  • 2篇强力胶
  • 2篇紫铜
  • 2篇连续可调
  • 2篇可调
  • 2篇各向异性
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇样片
  • 1篇应力
  • 1篇应力分布
  • 1篇内应力
  • 1篇晶体
  • 1篇各向异性研究
  • 1篇光学
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体晶体

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇周振宇
  • 3篇陈涌海

传媒

  • 1篇硅酸盐通报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
用偏振差分透射谱技术测量半导体晶体片应力分布被引量:4
2008年
利用偏振差分透射谱测量了2英寸圆形GaAs晶片、自支撑GaN衬底和蓝宝石衬底等的双折射分布,通过弹光效应换算得到了晶片内部残余应力分布。测量得到的应力反映的是晶片各个点的[110]和[110]方向的应变差。实验测量得到的GaAs晶片和自支撑GaN衬底的[110]和[110]的应变差最大可以达到10-5数量级。蓝宝石衬底的可以达到10-6数量级。因此TDS可以对透明或者半透明晶片的应力分布实现快速、实时、无损、高灵敏度检测。
周振宇陈涌海
关键词:各向异性内应力
在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法
本发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器,所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力;将两个“U”形紫铜块固定在所述压电陶瓷致动器两端,用于固定样品...
周振宇陈涌海
文献传递
在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法
本发明是一种在低温下为半导体样品施加连续可调单轴应力的方法。所述方法包括选取一压电陶瓷致动器,所述压电陶瓷致动器能够通过对改变压电陶瓷的偏压调节所施加的应力;将两个“U”形紫铜帽固定在所述压电陶瓷致动器两端,用于固定样品...
周振宇陈涌海
文献传递
半导体材料平面光学各向异性研究
本论文的工作包括以下两个方面   1.量子阱和量子点中激子的各向异性交换劈裂(Anisotropic ExchangeSplitting,AES)是由电子空穴交换作用和对称性减弱两个效应联合引起的。对称性减弱引起了材料...
周振宇
共1页<1>
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