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周成瑶

作品数:11 被引量:23H指数:4
供职机构:浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家杰出青年科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 11篇多孔硅
  • 9篇发光
  • 5篇发光特性
  • 4篇光电
  • 3篇电致发光
  • 3篇咔唑
  • 3篇聚乙烯
  • 3篇聚乙烯咔唑
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇PVK
  • 2篇电特性
  • 2篇旋涂
  • 2篇旋涂法
  • 2篇光材料
  • 2篇光电特性
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光致发光特性
  • 2篇硅基

机构

  • 11篇浙江大学

作者

  • 11篇周成瑶
  • 10篇杨德仁
  • 8篇阙端麟
  • 5篇赵毅
  • 5篇李东升
  • 3篇夏明哲
  • 1篇谢荣国
  • 1篇张年生

传媒

  • 2篇材料导报
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇2004年中...

年份

  • 2篇2005
  • 5篇2004
  • 4篇2003
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯复合光致发光特性研究被引量:4
2003年
多孔硅与有机材料复合可以改善多孔硅的光致发光特性。用化学腐蚀的方法制备了多孔硅,通过不同方法实现了多孔硅与聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的复合。实验结果表明,用旋涂法实现的PMMA固化后再与多孔硅复合而制得的样品的结果最好,它与原始的多孔硅样品相比,发光峰发生了蓝移而且发光强度下降很小。PMMA层有限的厚度和PMMA对多孔硅表面的保护使复合后发光强度下降很小。制备的多孔/PMMA复合体系的发光强度几乎不随时间而下降,这可能是由于PMMA有效地隔绝多孔硅与空气的接触,保护了多孔硅的表面,不会产生更多的悬挂键。
赵毅杨德仁周成瑶谢荣国阙端麟
关键词:多孔硅聚甲基丙烯酸甲酯光致发光旋涂法发光强度
多孔硅基有机复合体系光电特性研究
硅材料是现代大规模集成电路的基础,是微电子学领域中最重要且应用最广泛的一种材料。但由于硅属于窄禁带、间接带隙材料,故其发光性能差、发光效率低,无法应用于光电器件。因此,这限制硅材料在光电子学领域中的应用。1990年Can...
周成瑶
关键词:多孔硅有机物光电性能电致发光
文献传递
多孔硅与有机发光材料复合的光电特性被引量:6
2003年
用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合,研究了PS/(PVK,Alq3)复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现,PS/PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰;在485nm的位置出现了1个新峰,讨论了这个峰的来源。研究了n型单晶Si制备的PS与PVK复合(n PS/p PVK)和p型单晶Si制备的Alq3复合(p PS/n Alq3)后的I V特性。测试表明,这两个复合体系的I V曲线都显示了良好的整流特性。结果表明,PS/(PVK,Alq3)复合体系适合用来制备PS基的发光二极管。最后借助无机半导体的能带理论对此进行了分析。
赵毅夏明哲杨德仁周成瑶阙端麟
关键词:多孔硅有机发光材料聚乙烯咔唑电学性能
多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究被引量:6
2003年
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑 (PVK)的复合 ,研究了多孔硅 PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现 ,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外 ,在 4 85nm的位置出现了一个新峰 ,讨论了这个峰的来源。Ⅰ Ⅴ特性测试表明 ,多孔硅 PVK异质结与多孔硅相比 ,Ⅰ Ⅴ曲线呈现更好的整流特性 。
赵毅杨德仁周成瑶阙端麟
关键词:多孔硅聚乙烯咔唑PVKPL谱整流特性旋涂法
p型轻掺多孔硅的发光特性研究
2005年
采用阳极氧化法在 p型轻掺硅片上制备多孔硅,研究了电解液配比、电流密度和反应时间对多孔硅发光性能的影响.实验研究发现多孔硅形貌随氢氟酸浓度而变化,电流密度、电化学腐蚀时间对多孔硅的发光均有影响.随着氢氟酸浓度和电流密度的增大,多孔硅的光致发光光谱强度先变大后减小;随反应时间的延长,多孔硅的光致发光光谱峰强度增强.氢氟酸浓度、电流密度和反应时间对傅立叶红外光谱中与Si H、Si H2 键相关的振动峰具有明显影响,且与发光强度的变化相对应.结合多孔硅的成核理论、量子限制理论以及红外光谱中 Si H、Si H2 键红外振动峰的变化解释了上述现象.
周成瑶李东升杨德仁阙端麟
关键词:多孔硅光致发光
多孔硅/Alq光电特性
<正>自1990年Canham[1]首次发现了在室温下多孔硅强烈的可见光致发光以及1992年第一个多孔硅基的发光二极管[2]被研制出后,多孔硅的研究引起了人们的极大关注。但是单纯由多孔硅制备的发光二极管,由于多孔硅表面性...
李东升杨德仁周成瑶阙端麟
文献传递
多孔硅基电致发光研究进展被引量:4
2004年
综述了多孔硅电致发光研究进展。阐述了多孔硅液相和全固态电致发光体系及其发光特点,并详细介绍了多孔硅复合体系的制备方法和发光特性。
周成瑶李东升杨德仁阙端麟
关键词:发光特性半导体材料多孔硅电致发光材料
多孔硅/PVK复合体系的光电性能被引量:2
2005年
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑的复合 ,并研究了不同温度热处理后复合体系的电学和光学性能 .实验结果表明 :热处理有利于复合体系发光强度的提高 ;而且当热处理温度不超过 12 0℃ ,随着热处理温度的升高器件的整流效应增大 .同时 ,复合体系还实现了电致发光 ,产生了 5 5 5nm的电致发光峰 .
周成瑶李东升张年生杨德仁
关键词:多孔硅PVK电致发光
多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性被引量:3
2004年
用旋徐法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485 um的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。
赵毅夏明哲杨德仁周成瑶阙端麟
关键词:多孔硅多孔氧化铝光致发光聚乙烯咔唑光谱蓝移
多孔硅/MEH-PPV复合光学性能的研究
用旋涂法实现了MEH-PPV与多孔硅(PS)的复合。研究了复合体系的紫外-可见光谱和和不同浓度MEH-PPV/PS复合的光致发光(PL)。紫外-可见光谱的研究发现MEH-PPV的吸收谱和多孔硅的PL谱有重合。PL谱的研究...
周成瑶李东升夏明哲杨德仁
关键词:多孔硅发光MEH-PPV
文献传递
共2页<12>
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