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赵毅

作品数:114 被引量:50H指数:5
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 75篇专利
  • 27篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 5篇学位论文

领域

  • 37篇电子电信
  • 8篇自动化与计算...
  • 6篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 2篇电气工程
  • 2篇政治法律
  • 1篇机械工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇医药卫生

主题

  • 35篇晶体管
  • 25篇场效应
  • 21篇半导体
  • 16篇场效应晶体管
  • 15篇存储器
  • 14篇
  • 13篇沟道
  • 10篇标准CMOS...
  • 9篇电压
  • 9篇多孔硅
  • 9篇绝缘层
  • 8篇电路
  • 8篇载流子
  • 8篇半导体器件
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  • 6篇电阻
  • 6篇漏极
  • 6篇晶体
  • 6篇晶体管器件
  • 5篇电学

机构

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  • 2篇南京航空航天...
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  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇浙江工商大学
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作者

  • 114篇赵毅
  • 30篇陈冰
  • 19篇张睿
  • 10篇杨德仁
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  • 2篇徐顺

传媒

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  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇智能物联技术
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年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 8篇2022
  • 8篇2021
  • 18篇2020
  • 17篇2019
  • 11篇2018
  • 9篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 6篇2013
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2004
  • 6篇2003
114 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法,该方法首先在半导体衬底上定义源极和漏极区域,对源极和漏极区域进行刻蚀,分别形成凹槽;通过常温或低温物理气相沉积在刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极;其次通过...
张睿赵毅
阻式存储器的误码率测试方法
本发明公开了一种阻式存储器的误码率测试方法。存储器的商业化应用需要保证极低的误码率,这一测试需要重复大量的擦写过程并进行分析,从而需要大量的时间,因此对此过程进行加速是有意义的。本发明利用任意波形发生器调节读取波形的长度...
赵毅高世凡陈冰
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一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统
本发明公开了一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统,该系统包括数据反馈与处理器、波形处理器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给晶体管的漏极施加阶梯变化的电压波形,并在每个阶梯电平中...
赵毅曲益明陈冰卢继武韩菁慧
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一种应用于半导体器件的皮秒级超快速电学特性测试系统
本发明公开了一种应用于半导体器件的皮秒级超快速电学特性测试的系统。该系统包括波形处理器、宽频带电压放大器、宽频带电压偏置器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给电子器件施加皮秒级的脉冲序...
赵毅张睿卢继武曲益明
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一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法
本发明公开了一种叠层式多晶硅场效应晶体管器件的制造方法。首先在绝缘衬底上依次交替沉积隔离层薄膜和非晶硅薄膜,形成隔离层薄膜和非晶硅薄膜的叠层结构;其次刻蚀隔离层薄膜和非晶硅薄膜形成器件的沟道区域,并在沟道区域两侧沉积重掺...
张睿曾思雨赵毅
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一种基于RRAM的乘法器及其操作方法
本发明公开了一种基于RRAM的乘法器及其操作方法。基于RRAM的乘法器包括:RRAM阵列、放大器、RS触发器阵列和加法器模块。1)将所有BL线置‑1V,所有WL线置1V,持续1ns,将被乘数和乘数分别加在BL[7:0]、...
朱晓雷周旋陈冰赵毅
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一种提高半导体器件皮秒级超快速电学特性测试精度的方法
本发明公开了一种提高半导体器件皮秒级超快速电学特性测试精度的方法,属于半导体器件电学特性测试领域,该方法包括对金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性测试时的栅极激励信号(V<Sub>g</Sub>)和示波器得到的响应信号(...
赵毅韩菁慧陈冰曲益明张睿
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三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法
本发明公开了三维锗及锗硅垂直沟道晶体管的制备方法,锗及锗硅垂直沟道晶体管基于积累模式工作,其结构包括三部分:垂直沟道、环绕型栅极和源漏,其中,垂直沟道采用锗纳米柱或垂直环形纳米薄膜,垂直环形纳米薄膜选自锗或锗硅,栅极环绕...
赵毅魏娜陈冰
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一种改善工作稳定性及存储窗口的阻变存储器及制备方法
本发明公开了一种改善工作稳定性及存储窗口的阻变存储器及制备方法,存储器单元自下而上分别为底电极、下阻变层、氧化物缓冲介质层、上阻变层,顶电极。制备方法为:在制作底电极之后生长下阻变层对应金属,然后通过化学气相淀积、原子层...
赵毅沈阳
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一种柔性存储器及制造方法
本发明一种柔性存储器,包括两个柔性基底,在柔性基底上方依次设有柔性霍尔器件层、粘结层、柔性位导线层、粘结层、柔性字导线层、粘结层、柔性基底;所述的柔性霍尔器件层上的霍尔器件为有磁滞效应的记忆型器件。最后封装形成柔性磁随机...
赵毅施毅叶向东
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共12页<12345678910>
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