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吴茂: 作品数：105 被引量：95H指数：6; 供职机构：北京科技大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程金属学及工艺更多>>

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(SiC)TiN/Cu复合材料的热物理性能和焊接性能: 以醇盐水解-氨气氮化法在SiC 颗粒表面包覆TiN，然后采用放电等离子体烧结进行致密化，重点分析了所制备的 (SiC)TiN/Cu 复合材料的热物理性能和焊接性能。结果表明：醇盐水解-氨气氮化法能够制备出TiN 包覆Si...; 章林路新何新波曲选辉吴茂秦明礼; 关键词：包覆粉末热循环曲线

铸造Ti-45Al-8.5Nb-0.5(W,B,Y)合金组织均匀化处理被引量：1: 2012年; 采用水冷铜坩埚感应熔炼制备了Ti-45Al-8.5Nb-0.5(W,B,Y)(at%)合金铸锭,研究了铸造合金组织特点及均匀化处理温度对显微组织的影响规律。结果表明,铸锭组织呈全层片,有大量β相网,富Al相等成分偏析;调整热处理温度使合金偏析区域处于α单相区,充分保温后缓慢冷却可消除偏析形成全层片组织;经过1420℃×12 h炉冷,β相与富Al相偏析均得以消除,获得平均尺寸约为320μm,层片间距约为0.8μm的均匀全层片组织。; 路新朱郎平刘程程赵腾飞章林吴茂曲选辉; 关键词：高铌TIAL合金显微组织偏析

一种结合注射成形技术制备金刚石/铜复合材料的方法: 一种结合注射成形技术制备金刚石/铜复合材料的方法，采用盐浴镀覆技术在金刚石表面镀覆一层均匀的Mo2C用来改善金刚石与铜的润湿性，然后采用化学镀覆方法继续在Mo2C层表面镀铜，通...; 何新波潘彦鹏任淑彬吴茂曲选辉

一种高导热石墨晶须定向增强金属基复合材料的制备方法: 本发明属于电子封装复合材料技术领域，涉及一种高导热石墨晶须定向增强金属的复合材料的制备方法。复合材料含有体积分数为20％-80％高导热石墨晶须。该复合材料的生产工艺步骤为：将金属粉末、晶须与包括粘合剂、增塑剂以及溶剂的浆...; 何新波刘骞章晨刘婷婷任淑彬吴茂曲选辉; 文献传递

一种高通量制备粉末冶金闸片材料的装置及方法: 本发明属于粉末冶金制品制备技术领域，涉及一种高通量制备粉末冶金闸片材料的装置及方法。设计一种高通量研究装备，在计算机的控制下将有机物组元储存罐内的高分子组元加注到粘结剂溶液储存罐内。粘结剂通过雾化喷嘴进入锥形混料器内，并...; 章林吴昊阳张鹏陈彦付康习李晓东吴茂任淑彬曲选辉

一种利用粉末注射成形技术制备高性能铝合金的方法: 一种利用粉末注射成形技术制备高性能铝合金的方法，属于粉末注射成形技术领域。本发明工艺流程为：以Al‑Cu‑Mg‑Si合金体系为基础，含有少量合金元素Sn。以纯铝粉为主要原料，其它合金元素以单质粉或二元合金粉的形式加入。将...; 吴茂杜智渊邱婷婷曲选辉; 文献传递

一种铝碳化硅封装外壳的封接方法: 本发明属于金属材料领域，提供了一种铝碳化硅复合材料(SiCp/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发...; 吴茂何新波曲选辉孟菲菲任淑彬; 文献传递

Ag-Cu-Ti钎焊金刚石/铜复合材料的组织和性能被引量：7: 2013年; 采用97(72Ag-28Cu)-3Ti活性钎料钎焊了Diamond/Cu复合材料和Al2O3陶瓷,研究了主要钎焊条件如钎焊温度和保温时间对接头强度的影响。结果表明,钎焊过程中Ti元素易聚集在金刚石颗粒周围并形成TiC化合物层。TiC化合物的形貌与Diamond/Cu钎焊接头剪切强度有密切关系,金刚石表面生长适当厚度的TiC化合物层能增强钎焊接头的剪切强度,但如果TiC为颗粒状或TiC化合物层生长过厚,将削弱钎焊接头的剪切强度。钎焊接头的最大剪切强度可达117 MPa。; 吴茂曹车正王越陈晓玮何新波曲选辉; 关键词：DIAMOND CU复合材料 AG-CU-TI钎料活性钎焊剪切强度

一种氧化铝陶瓷表面金属化的组合物: 一种降低氧化铝陶瓷钨金属化层方阻浆料及其制备工艺，属于陶瓷-金属封接技术领域。钨金属化层由钨粉和玻璃相组成。本发明主要通过改变钨粉粒度分布，使钨粉形成良好的级配，钨颗粒之间形成紧密堆积；同时加入用溶胶凝胶法制备的超细玻璃...; 吴茂赵聪何新波曲选辉

SnAgNi钎料钎焊Ni镀层SiC_p/Al复合材料的接头微观结构及剪切性能被引量：1: 2009年; 采用Sn-2·5Ag-2·0Ni焊料钎焊了具有Ni(P)/Ni(B)和Ni(P)/Ni两种双镀层结构的SiCp/Al复合材料.结果表明,SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)和SnAgNi/Ni/Ni(P)两种接头均生成唯一的金属间化合物Ni3Sn4.SnAgNi焊料与Ni(B)镀层之间的快速反应速度使Ni3Sn4金属间化合物具有高的生长速度.时效初期的SnAgNi/Ni/Ni(P)接头的剪切强度高于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头,但在250h时效后其剪切强度剧烈下降,低于SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头.金属间化合物的生长及裂纹的形成是SnAgNi/Ni/Ni(P)接头失效的主要原因,而SnAgNi/Ni(B)/Ni(P)接头失效的主要原因是Ni(P)镀层中Ni原子的定向扩散使SiCp/Al复合材料与Ni(P)处产生孔洞.; 吴茂何新波孟菲菲曲选辉; 关键词：焊料金属间化合物时效处理