吕宪义
- 作品数：136 被引量：322H指数：12
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究被引量：9
- 2003年
- 用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相。并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长。
- 吕宪义金曾孙郝世强彭鸿雁曹庆忠
- 关键词：金刚石膜刻蚀结构特性
- 乙醇对金刚石膜生长特性的影响
- 采用EA-CVD(Electron Assisted Chemical VaporDeposition)方法制备金刚石厚膜,在反应气体(CH4+H2)中添加乙醇,在保持其它条件不变的情况下研究了不同乙醇流量对金刚石膜生长...
- 李春燕金曾孙吕宪义
- 关键词：乙醇金刚石膜生长速率刻蚀
- 文献传递
- 一种在聚晶金刚石复合片表面生长金刚石膜的方法
- 本发明的一种在聚晶金刚石复合片表面生长金刚石膜的方法属于超硬材料技术领域。主要步骤包括：对聚晶层进行脱钴预处理、多晶金刚石膜的沉积、沉积后缓慢降至室温，得到具有三层结构的复合超硬材料。本发明通过在PDC表面使用CVD法沉...
- 吕宪义范赛飞邹广田
- 文献传递
- 化学汽相沉积法在人造金刚石衬底上生长金刚石被引量：2
- 1990年
- 本文采用热灯丝化学气相沉积法,以甲烷和氢气为原料气体,在用高温高压法合成的金刚石的(100)面上外延生长出金刚石,在(110)面和(111)面上生长出多晶金刚石微粒。
- 金曾孙吕宪义皇甫萍张铁巨邹广田
- 关键词：化学气相沉积人造金刚石金刚石
- 金刚石薄膜选择性生长的新方法的研究
- 1引言金刚石薄膜具有高硬度,高导热,高红外透过率和优异的半导体性质,在高技术和未来的工业领域有广泛的用途。因此,近10多年来,气相生长金刚石薄膜的研究取得了很大的进展。金刚石的电学性质予示了利用金刚石薄膜制作电子器件的可...
- 顾长志王春蕾庄荣书吕宪义金曾孙
- 文献传递
- 阴/阳极电流密度对铝合金微弧氧化陶瓷膜特性的影响被引量：21
- 2005年
- 采用微弧氧化技术在铝合金上合成了陶瓷膜,研究了阳极电流密度和阴/阳极电流密度比对陶瓷膜特性的影响.结果表明,阳极电流密度对陶瓷膜中α Al2O3比γ Al2O3的相对含量影响很大,但阴/阳极电流密度比对其相对含量的影响较小,而陶瓷膜的显微硬度、微观结构和致密层的厚度与阳极电流密度和阴/阳极电流密度比密切相关.
- 吕宪义金曾孙吴汉华龙北红汪剑波
- 关键词：电流密度微弧氧化显微硬度相组成
- n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法
- 本发明的n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结光电器件及制备方法，属于半导体材料及其制备的技术领域。光电器件是n型氧化锌纳米棒高取向竖直生长在p型金刚石上；用银浆在导电阴极和导电阳极上分别连接铜导线。制备方法的第1步生长硼掺...
- 李红东高世勇吕宪义李英爱
- 一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法
- 本发明公开了一种大粒径高占比金刚石/碳化硅复合材料制备方法，属于超硬材料合成技术领域，该方法包括：214μm～250μm金刚石、硅粉和碳化硅酸碱处理后，在氩气保护下等离子净化处理；金刚石75％wt～90％wt、碳化硅7％...
- 王启亮刘正帅吕宪义李柳暗牟草源许洪新邹广田
- 一种表面增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法
- 本发明的一种表面增强的聚晶金刚石复合片及其制备方法属于超硬材料技术领域。所述的表面增强的聚晶金刚石复合片，包括CVD多晶金刚石膜、聚晶金刚石层和碳化钨‑钴硬质合金层，制备方法包括激光扫描雕刻预制图案、整体压实成型、高温高...
- 吕宪义范赛飞张海波王绍斌张松邹广田
- 文献传递
- 沉积高品质金刚石薄膜的MWPCVD系统被引量：2
- 1995年
- 建立了用于沉积高品质金刚石薄膜的微波等离子体化学气相沉积系统，并对该系统的工作性能进行了研究．
- 白亦真吕宪义金曾孙王春蕾邹广田
- 关键词：金刚石微波等离子体化学气相沉积
