吕吉贺
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
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- 基于低温缓冲层的单片集成长波长可调谐光探测器被引量：1
- 2007年
- 实现了一种单片集成的长波长可调谐光探测器.通过外延实验,摸索出低温缓冲层的最佳生长条件,成功地在GaAs衬底上生长出晶格失配度约4%的高质量的InP基材料.基于此低温缓冲层,在GaAs衬底上首先生长GaAs/AlAs材料的F-P腔滤波器,然后异质外延InP-In0.53Ga0.47As-InP材料的PIN结构.制作出的器件通过热调谐,峰值波长从1533.1nm红移到1543.1nm,实现了10.0nm的调谐范围,同时响应线宽维持在0.8nm以下,量子效率保持在23%以上,响应速率达到6.2GHz.
- 吕吉贺黄辉任晓敏苗昂李轶群王睿黄永清王琦
- 关键词：可调谐光电探测器
- InP/GaAs异质外延及异变InGaAs光探测器制备被引量：6
- 2007年
- 借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50μm×50μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%。
- 王琦任晓敏熊德平周静吕吉贺黄辉黄永清蔡世伟
- 关键词：光探测器
- 一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术
- 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问...
- 黄辉任晓敏吕吉贺蔡世伟王琦黄永清
- 文献传递
- InP//GaAs、GaAs//Si、InP//GaAs//Si异质外延生长技术及其在集成光电子器件中的应用
- 人类通信需求量的急剧增长是光纤通信系统发展的潜在驱动力,而新一代光纤通信系统的发展必然要以新型通信光电子器件作为支撑。当前通信光电子器件正处于由分立转向集成的重大变革时期,而通信光电子集成器件研究所面临的最突出问题是半导...
- 吕吉贺
- 关键词：单片集成光探测器
- 文献传递
- 用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT被引量：2
- 2009年
- 实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基InP/InGaAs HBT。借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层。在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAsHBT,器件的电流截止频率达到4.4GHz,开启电压0.4V,反向击穿电压大于4V,直流放大倍数约为20。该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐InP光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法。
- 李轶群黄辉吕吉贺苗昂吴强蔡世伟黄永清任晓敏
- 含B闪锌矿三元系半导体B_xIn_(1-x)P和B_xGa_(1-x)P带隙理论预测被引量：1
- 2007年
- 利用第一性原理计算方法,用广义梯度近似(GGA)处理电子之间的交换关联能,计算了BxIn1-xP,BxGa1-xP的带隙结构.BxIn1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=4.32eV,b_Eg(X)=1.8eV,它从直接带隙转变为间接带隙时B的含量为0.47;在小量B的掺入下,可使BxIn1-xP的带隙变小,在x=0.15时带隙达到最小值1.33eV.BxGa1-xP的带隙弯曲参数b_Eg(Γ)=1.37eV,b_Eg(X)=2.46eV,在整个组分内是间接带隙.BxIn1-x-P,BxGa1-xP有较大的带隙弯曲参数,是由于组成它们的二元系之间存在较大的晶格失配.
- 熊德平任晓敏王琦舒伟周静吕吉贺黄辉黄永清
- 关键词：带隙广义梯度近似
- 一种基于中间刻槽工序的无裂纹异质外延生长技术
- 本发明提供一种异质外延生长工艺，外延层材料生长阶段包括预生长阶段和二次生长阶段，且所述两个生长阶段之间为刻槽工序，其中衬底材料与外延层材料之间热膨胀系数失配度大于10％。本发明成功解决了热失配较大的材料间异质外延的裂纹问...
- 黄辉任晓敏吕吉贺蔡世伟王琦黄永清
- 文献传递
- 一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺
- 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米...
- 任晓敏黄辉叶显吕吉贺蔡世伟黄永清王琦
- 文献传递
- 一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺
- 本发明提供一种基于界面纳米结构的异质外延生长工艺。其中衬底材料与外延层材料之间存在晶格失配，且外延层的形成包括四个阶段：首先在衬底上形成金属纳米颗粒；接着生长纳米线；然后沉淀掩膜层并使得纳米线的上部露出；最后以露出的纳米...
- 任晓敏黄辉叶显吕吉贺蔡世伟黄永清王琦
- 文献传递
- 单片集成GaAs基长波长谐振腔光探测器的研究
- 2009年
- 介绍了一种GaAs基的长波长谐振腔增强型(RCE)光探测器。通过两步生长法,在GaAs衬底上异质外延生长了InP-InGaAs-InP的p-i-n光吸收结构和GaAs/AlAs的分布布拉格反射镜(DBR)。所制备的器件在1549.4nm处获得了67.3%的量子效率和17nm的光谱响应线宽,在1497.7nm处获得了53.5%的量子效率和9.6nm的光谱响应线宽,而InGaAs吸收层厚度仅为200nm。采用单片集成法,工艺简单、易于产业化,随着缓冲层技术的发展,此种RCE光探测器的性能还将获得进一步提升。
- 孙览江黄辉吕吉贺蔡世伟雒伟伟王琦黄永清任晓敏
- 关键词：光探测器谐振腔单片集成量子效率
