刘红兵
- 作品数：19 被引量：33H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 一种微波功率晶体管的热失效分析
- 就一例微波功率晶体管热失效,讲述了通过分析试验,确定造成热失效原因的过程,分析了失效机理,提出了相应的预防措施．
- 许洋刘红兵
- 关键词：微波功率晶体管热阻剪切力
- 文献传递
- SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应被引量：3
- 2007年
- 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGeHBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256·85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGeHBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGeHBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理.
- 刘书焕林东生郭晓强刘红兵江新标朱广宁李达王祖军陈伟张伟周辉邵贝贝李君利
- 关键词：SIGEHBT反应堆
- 微波晶体管窄带放大器级间匹配电路设计
- 2013年
- 微波放大器的级间匹配是两个复数阻抗之间的双端口共轭匹配,但目前多数资料很少介绍这种共轭匹配电路的具体设计。基于微波传输线基本理论,详细介绍了用Smith导抗圆图直接进行级间共轭匹配的匹配理念和设计方法。在原理设计之后,可用CAD软件直接进行电路仿真和优化。介绍了一个实例的设计步骤。最后给出了一个两级放大器的原理设计参数和仿真与优化结果。此方法的特点是:对于指定要匹配的两个复数,可设计出诸如┏型、┓型、T型、∏型以及纯串联型等多种匹配电路来,通过比较,可获得最佳匹配电路;匹配电路中传输线的特性阻抗可根据具体情况自由选择,从而可获得较好的微带线线宽。此设计方法最适合点频和窄带匹配电路的设计,对较宽频带的设计也有参考价值。
- 孙国仁刘红兵
- 关键词：级间匹配共轭复数共轭匹配晶体管
- Ku波段小型化功率介质振荡器的研制被引量：2
- 2009年
- 针对小型化条件下,影响介质振荡器输出功率、相位噪声等主要技术指标的因素进行了分析,提出了提高小型化微波功率介质振荡器的输出功率、降低相位噪声和改善器件散热的方法。通过优化电路结构和CAD仿真技术,解决了功率耗散大与盒体模块小、相位噪声要求高和腔体尺寸小这两个主要矛盾,研制出的DRO输出频率为Ku波段点频,输出功率达到了0.5W,工作效率为20%,相位噪声优于-80dBc/Hz@10kHz,体积为34mm×27mm×9mm。研制结果表明,该介质振荡器具有体积小、输出功率高、相位噪声较高等优点,性能可靠,满足系统小型化使用要求。
- 刘建栋刘红兵高燕宇高翠琢
- 关键词：功率介质振荡器小型化散热相位噪声
- 静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系被引量：2
- 2007年
- 为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.
- 杨洁刘尚合刘红兵祁树锋
- 关键词：硅双极晶体管静电放电
- 静电放电对2SC3356造成的潜在性失效的实验模拟
- 2006年
- 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效.采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加了一系列低电压的ESD应力,结果表明:低于损伤阈值的ESD应力可以使微电子器件产生潜在性损伤,从而影响器件的使用寿命.
- 祁树锋杨洁刘红兵刘尚合
- 关键词：ESD微电子器件
- ESD对微电子器件造成潜在性失效的研究综述被引量：7
- 2006年
- 静电放电(ESD)潜在性失效问题是当前微电子工业面临的可靠性问题之一,并且越来越引起人们的重视.国内外学者在微电子器件ESD潜在性失效的检测及探讨失效机理方面的研究取得了较大的进展.研究表明:MOS电路等微电子器件,在ESD作用下确实存在潜在性失效问题.因此,开展ESD潜在性失效研究具有重要意义.
- 祁树锋杨洁刘红兵巨楷如刘尚合
- 关键词：ESD微电子器件
- 静电放电引起2SC3356潜在失效的研究被引量：1
- 2007年
- 研究了低电压的人体模型(HBM)静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在失效。分别从CB结和EB结对2SC3356晶体管施加低电压HBM的ESD应力,结果表明:从CB结施加低电压的ESD电应力,所产生的潜在失效的几率要高于从EB结施加低电压的ESD电应力产生的潜在失效几率,即CB结比EB结对低电压的ESD应力引入的潜在失效更为敏感。高温(≥125℃)寿命实验有退火效应,从而缓解了低电压的ESD应力使器件产生的潜在损伤,使静电放电过程中引入的潜在损伤自恢复。
- 祁树锋刘尚合刘红兵杨洁
- 关键词：静电放电微电子器件
- 老化用微波功率信号源的研制
- 本文以 L 波段信号源为例,研究探讨了微波器件和放大器射频老化时常用的傲波脉冲信号源的设计与制做,并获得了实用结果．
- 杨光晖何宇新刘红兵
- 关键词：微波晶体管微波放大器
- 文献传递
- 静电放电电磁脉冲对微电子器件的双重作用被引量：1
- 2011年
- 研究了低电压的静电放电(ESD)对微电子器件造成的潜在性失效,采用人体模型(HBM)对微波低噪声晶体管2SC3356施加不同电压的ESD应力.结果表明:高电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤主要是不可恢复的损伤,而低电压的ESD注入对2SC3356器件造成的损伤是可恢复的损伤;ESD的注入对器件有双重作用:一方面ESD在器件中可引入潜在性损伤,另一方面ESD对器件有加固作用,并且注入ESD电压越高,这些作用越明显.
- 祁树锋张晓倩曾泰刘红兵杨洁
- 关键词：ESD微电子器件
