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侯廉平

作品数：22 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程

主题

  • 17篇激光
  • 13篇模斑转换器
  • 10篇激光器
  • 9篇磷化铟
  • 8篇调制
  • 8篇调制器
  • 7篇陶瓷
  • 7篇陶瓷基
  • 7篇划片
  • 6篇单片
  • 6篇单片集成
  • 6篇陶瓷基板
  • 6篇铟镓砷
  • 6篇划片机
  • 6篇基板
  • 5篇电吸收
  • 5篇电吸收调制
  • 5篇电吸收调制器
  • 5篇射频
  • 5篇半导体

机构

  • 15篇中国科学院
  • 9篇华中科技大学

作者

  • 22篇侯廉平
  • 15篇王圩
  • 12篇朱洪亮
  • 7篇周帆
  • 4篇王鲁峰
  • 4篇边静
  • 3篇陈陪峰
  • 3篇陈培峰
  • 3篇陈清明
  • 2篇陈培锋
  • 1篇冯文

传媒

  • 3篇Journa...
  • 3篇激光杂志
  • 2篇激光技术
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇应用激光
  • 1篇佛山陶瓷

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
射频激光对氧化铝陶瓷基片划片的研究被引量：3
2003年
分析了RFCO2 激光陶瓷基板划片的机理及工艺参数选择的原则。通过数值模拟和实验 ,分析了脉冲频率、脉冲宽度、划片速度、辅助气压大小、离焦量等工艺参数对激光划片质量的影响。
侯廉平陈培峰陈清明
关键词：CO2激光器划片氧化铝陶瓷基片数值模拟
Diamond K-250射频气体激光调制器的设计
2003年
采用TL494、SN75 172等元件组成了DiamondK -2 5 0射频气体激光调制器 ,调制频率、占空比和调制度单独可调。分析了电路的工作原理 ,绘出了调制频率。
侯廉平陈培锋
关键词：DIAMOND激光调制器占空比脉宽
双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法
一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用S...
侯廉平王圩
文献传递
射频CO_2激光陶瓷基板划片机被引量：2
2003年
介绍了RFCO2 激光器及其对陶瓷基板划片的特点。分析了RFCO2 激光陶瓷基板划片的机理 ;给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟 ,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图。
侯廉平侯廉平陈培峰
关键词：陶瓷基板激光划片
双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法
一种双波导技术制作半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底上依次外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、空间层、有源区和较薄的磷化铟本征层，磷化铟本征层可防止有源区的氧化；去掉最上面的磷化铟本征层，用S...
侯廉平王圩
文献传递
射频CO_2激光陶瓷基板划片机光路设计及分析
2004年
介绍了RFCO2 激光陶瓷基板划片的特点。分析了导光系统的设计原则 ,讨论了圆偏振镜和伽利略离焦望远镜的作用和特点。对导光系统进行了优化和模拟 ,给出了导光系统的光路图及成像质量图。试验结果和理论相符。
侯廉平陈培峰王圩朱洪亮
关键词：陶瓷基板划片机
利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法
利用量子阱混杂作模斑转换分布反馈布拉格激光器的方法，包括以下步骤：在衬底上生长n型磷化铟缓冲层等；用二氧化硅把分布反馈布拉格－激光器掩蔽，在模斑转换器区的本征铟磷注入缓冲层产生点缺陷；腐蚀掉分布反馈布拉格－激光器的二氧化...
侯廉平王圩朱洪亮
文献传递
射频CO_2激光陶瓷基板划片机
2002年
介绍了RFCO2 激光器及陶瓷基板划片的特点。分析了RFCO2 激光陶瓷基板划片的机理 ;给出了整机总体设计方案。对导光系统的激光束进行了模拟 ,给出了导光系统的光路图及聚焦镜焦平面处的光斑尺寸及能量分布图。
侯廉平陈陪峰陈清明
关键词：射频CO2激光陶瓷基板划片机激光划片
一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法
一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和...
侯廉平王圩朱洪亮
文献传递
一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法
一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和...
侯廉平王圩朱洪亮
文献传递
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