王鲁峰
- 作品数：34 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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- 单片集成波长可调谐激光器的自动化测试
- 单片集成波长可调谐激光器是下一代波分复用光通讯系统中的关键器件，它可以应用在传输端实现波长备份功能，也可以应用在波长路由节点辅助实现波长转换功能。单片集成波长可调谐激光器通常需要两个或者更多的电流控制段来实现波长调谐功能...
- 王鲁峰张靖阚强赵玲娟王圩
- 关键词：自动化测试
- 文献传递
- 渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量：1
- 2002年
- 采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0～ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18～ 3 9mW .
- 张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩
- 关键词：半导体光学放大器偏振不灵敏SOA
- 长波长大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器的材料生长与器件制备被引量：4
- 2006年
- 采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1·6—1·7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1·66μm和1·74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1·74μm激光器的特征温度T0=57K,和1·55μmInGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
- 潘教青赵谦朱洪亮赵玲娟丁颖王宝军周帆王鲁峰王圩
- 关键词：MOCVDINGAAS/INGAASP应变量子阱分布反馈激光器
- 激光器－电吸收调制器－模斑转换器单片集成的制作方法
- 一种激光器－电吸收调制器－模斑转换器的制作方法，包括：在衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、空间层、本征层；用PECVD技术在本征层上生长二氧化硅；去掉本征层，第二次生长有源区及本征层，同时刻出模斑转换器的上波导结构；刻...
- 侯廉平王圩朱洪亮周帆王鲁峰边静
- 文献传递
- 用于产生微波信号的分布反馈激光器与Y形波导单片集成器的研究
- 本文设计并制作了一种在Y形波导的两个分支上集成分布反馈(Distributed Feedback,DFB)激光器的单片集成器件.DFB激光器的布拉格光栅一次曝光形成,具有相同的光栅周期.当注入电流分别单独加载到两段DFB...
- 王路谢红云赵玲娟潘教青周帆边静王鲁峰朱洪亮王圩
- 关键词：分布反馈激光器微波信号集成器
- 文献传递
- 高速、可调谐光通信用长波长半导体激光器
- 本文报道了几种作者最近制作的适用于光通信的高速,可调谐长波长半导体激光器,以满足长途、干线光通信对光源低调啾的要求.
- 王鲁峰刘国利张静媛朱洪亮王圩
- 关键词：半导体激光器光通信
- 文献传递
- 使用低能离子注入导致的量子阱混杂方法制作可集成的分布式Bragg反射激光器(英文)
- 2004年
- 采用量子阱混杂的方法制作了可集成的分布式 Bragg反射激光器 .通过同时控制相位区和光栅区的注入电流 ,该激光器的波长可以准连续地调谐 4 .6 nm .在整个调谐范围内 ,除了少数几个模式跳变点以外 ,激光器的单模特性保持良好 ,边模抑制比均达到了 30 d
- 张靖陆羽赵玲娟周帆王宝军王鲁峰王圩
- 关键词：量子阱混杂波长调谐
- 宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关(英文)
- 2004年
- 研制了一种张应变准体 In Ga As半导体放大器光开关 .该结构具有显著的带填充效应 ,从而导致在 80 m A的注入电流下 ,器件的 3d B光带宽大于 85 nm(1 5 2 0～ 1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了 C带 (1 5 2 5～ 1 5 6 5 nm )和L带 (1 5 70～ 1 6 1 0 nm ) .最为重要的是 ,在 3d B光带范围内 ,光开关的偏振灵敏度小于 0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在 70～ 90 m A之间 ;消光比大于 5 0 d B.通过降低了载流子寿命 ,开关速度有所提高 .在未来密集波分复用通信系统中 。
- 王书荣刘志宏王圩朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆王鲁峰
- 关键词：宽带偏振不灵敏消光比
- 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
- 2006年
- 采用超低压(22mbar)选择区域生长(Selective Area Growth,SAG)金属有机化学汽相沉积(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,MOCVD)技术成功制备了高质量InGaAsP/InGaAsP多量子阱(Multiple Quantum Well,MQW)材料.在较小的掩蔽宽度变化范围内(15—30μm),得到了46nm的光荧光(Photoluminescence,PL)波长偏移量,PL半高宽(Full-Width-at-Half-Maximum,FWHM)小于30meV.为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性,我们采用了新型的渐变掩蔽图形,并且运用这种新型渐变掩蔽图形,研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响.我们还观察到,渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象.
- 赵谦潘教青张靖周帆王宝军王鲁峰边静安欣赵玲娟王圩
- 关键词：超低压
- 1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器(英文)被引量：1
- 2005年
- 制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.
- 潘教青王圩朱洪亮赵谦王宝军周帆王鲁峰
- 关键词：分布反馈激光器压应变
