陈志涛
- 作品数：17 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信医药卫生更多>>
- 在n-GaN中注入Fe+获得具有室温铁磁性的GaNFe材料
- 背景介绍：目前,在液晶显示背光源系统中,偏振片对光的过滤大大降低了光的利用效率,直接发偏振光的 GaN 基 LED 由于可避免此难题因而有望成为新一代的高效节能液晶显示背光源,对其进行研制具有深远的现实意义。在 LED ...
- 陈志涛杨学林张斌杨志坚姚淑德张国义
- 文献传递
- MOCVD法生长（Ga，Mn）N材料的磁学和电子结构特性
- ＜正＞通过用 MOCVD 方法生长出单晶（Ga,Mn）N 稀磁半导体材料,并研究了此材料的磁学特性和电子结构特性。超导量子干涉仪测量系统（SQUID）表明（Ga,Mn）N 材料在室温条件下具有明显的铁磁性。光电子能谱（X...
- 杨学林陈志涛杨志坚于彤军张国义
- 关键词：半导体自旋电子学
- 文献传递
- 用X射线衍射法测定氮化镓马赛克结构中的面内扭转角(英文)被引量：1
- 2006年
- Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料在发光二极管、激光器和探测器方面有着广泛的应用,采用高分辨X射线衍射来测定用金属有机化学气相沉淀法在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延层马赛克结构的扭转角,分别研究了(0002)、(101-3)、(101-2)、(101-1)、(202-1)五个面的X射线摇摆曲线,并且用Pseudo-Voigt方程拟合每一个面的摇摆曲线,我们利用外推法很方便地测得氮化镓外延薄膜的面内扭转角。另外我们采用同步辐射X射线掠入射衍射对样品进行(11-00)面反射扫描直接测得面内扭转角,对第一种方法进行验证,两种方法测量结果相同。从而提供一种简单、方便的GaN外延层的面内扭转角的测试方法,为深入研究GaN材料奠定良好基础。
- 苏月永陈志涛徐科郭立平潘尧波杨学林杨志坚张国义
- 关键词：氮化镓X射线衍射
- MOCVD生长GaMnN多层膜磁学性质的热处理稳定性研究
- 稀磁半导体作为自旋电子学领域中,能将电子的自旋属性与电荷属性有机结合,研究自旋对电子行为影响,并在半导体器件中有效利用电子自旋属性的一类材料,在自旋电子学领域占据着重要的地位。由于GaN材料在半导体光电子器件领域的广泛应...
- 姜显哲杨学林张法法陈志涛王存达张国义
- 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性被引量：1
- 2006年
- 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
- 陈志涛徐科杨志坚苏月永潘尧波杨学林张酣张国义
- 关键词：摇摆曲线
- 一种GaN基自旋发光二极管及其制备方法
- 本发明提供了一种GaN基自旋发光二极管(Spin-LED)，具有如下结构：在导电衬底之上依次是P型欧姆接触电极、P型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、N型GaN层、掺杂过渡金属元素的ITO磁性层、N型欧姆接触电...
- 张国义杨学林陈志涛于彤军杨志坚
- 文献传递
- GaMnN—稀磁半导体与自旋偏振光LED
- 液晶显示的迅猛发展,推动了人们对于液晶显示的深入研究,其中 LED 背光源以其低功耗、显色指数高、长寿命、无辐射等优点倍受关注。液晶显示的基本原理如图1所示,在整个光路中,当光通过下层偏振片时,光由圆偏振光转换成线偏振光...
- 张国义陈志涛杨学林
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- MOCVD Mn-delta生长GaN：Mn的结构和磁学性质
- ＜正＞利用 MOCVD 方法通过 Mn-delta 生长 GaN:Mn 稀磁半导体材料,并研究了此材料的结构和磁学特性。在生长过程中,在每一个 delta 生长周期中,固定 GaN 层的生长时间为45s,而 Mn-del...
- 陈志涛杨学林杨志坚张国义
- 关键词：半导体自旋电子学铁磁性
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- MOCVD生长GaN/GaMnN多层结构的磁学性质研究
- 本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化...
- 杨学林陈志涛祝文星王存达杨志坚张国义
- 关键词：稀磁半导体磁化强度金属有机物多层结构
- 文献传递
- GaN基稀磁半导体材料和GaN薄膜材料缺陷结构分析
- 本文对GaN基稀磁半导体材料和GaN薄膜材料缺陷结构进行了分析，所获得的创新性成果如下：
1，通过比较分析，选用金属有机化合物MCP2Mn为Mn源，国内首次采用金属有机化合物(MOCVD)成功生长出了具有室温铁...
- 陈志涛
- 关键词：稀磁半导体半导体薄膜材料结构
- 文献传递
