萨宁
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有HfN/HfO_2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究被引量：1
- 2006年
- 研究了HfN/HfO_2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO_2高K栅结构的等效氧化层厚度(EOT)为1·3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO_2高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO_2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征:HfN/HfO_2栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
- 萨宁康晋锋杨红刘晓彦张兴韩汝琦
- 关键词：高K栅介质
- HfO<,2>高K栅介质MOS器件的时变击穿和阈值电压不稳定性问题研究
- 随着微电子技术的发展，金属栅/高k栅介质结构取代传统的多晶硅/SiO2(或SiON)结构成为必然趋势。根据国际半导体技术发展路线图，在2007年作为主流技术引用的45nm节点技术将需要采用金属栅/高k栅介质结构。金属栅/...
- 萨宁
- 关键词：CMOS器件时变击穿
- 文献传递
