杨彦斌
- 作品数：23 被引量：38H指数：4
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
- 2004年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV.
- 朱海丰杨彦斌路万兵于威
- 关键词：光致发光
- 一种生长纳米晶硅粉体的装置
- 本发明公开了一种生长纳米晶硅粉体的装置，包括反应腔，设置在反应腔顶部的进气管道，设置在反应腔底部的收集腔，位于反应腔外部的射频源，以及设置在收集腔内部的收集网；其关键在于：一对电极在反应腔中竖直设置，电极对应的两端固定有...
- 于威徐艳梅杨彦斌詹小舟傅广生
- 文献传递
- 镶嵌在氮化硅中纳米硅的光吸收及发光特性
- 杨彦斌
- 镶嵌有纳米硅的氮化硅薄膜键合特性分析被引量：9
- 2006年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术制备了非化学计量比的氢化氮化硅薄膜,对所沉积样品及氮气环境中920℃退火样品的微观结构及键合特性进行了分析。Raman散射结果表明,薄膜中过量硅以非晶纳米粒子形式存在,退火样品呈现纳米晶硅和氮化硅的镶嵌结构。红外吸收和可见光吸收特性比较结果显示,薄膜样品的微观结构依赖于化学计量比以及退火过程,硅含量较低样品因高的键合氢含量而表现出低的纳米硅表面缺陷态密度;退火过程将引起Si—H和N—H键合密度的减少,因晶态纳米颗粒的形成,退火样品表现出更高的结构无序度。
- 丁文革于威杨彦斌张江勇傅广生
- 关键词：RAMAN谱光吸收谱
- 一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法。本发明P‑I‑N发电层结构中的P型掺杂层、I层本征吸收层和N型掺杂层均采用纳米SiOx薄膜材料制成，这种材料具有高的电导率、较高的光敏性和吸收...
- 傅广生于威黄艳红李云路万兵杨彦斌焦玉骁
- 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光被引量：5
- 2008年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术以N2/SiH4/H2为反应气体制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氢化氮化硅薄膜,通过改变N2流量实现了薄膜从红到蓝绿的可调谐光致发光.傅里叶红外透射和紫外-可见光吸收特性分析表明,所生长薄膜具有较高的氢含量,N2流量增加使氢的键合结构发生变化,非晶硅颗粒尺寸减小,所对应的薄膜的光学带隙逐渐增加和微观结构有序度减小.可调光致发光(PL)主要来源于纳米硅颗粒的量子限制效应发光,随N2流量增加,PL的谱线展宽并逐渐增强.
- 于威李亚超丁文革张江勇杨彦斌傅广生
- 关键词：光吸收谱光致发光
- 适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置
- 本发明涉及一种适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置，其结构是在真空反应室中设置有等离子体反应气盒和收/放卷装置，所述收/放卷装置设置在平置的滑动导轨上，所述等离子体反应气盒位于所述收/放卷装置的上方，并通过提升架与真空反应...
- 于威刘海旭傅广生杨彦斌张子才赵蔚王春生
- 文献传递
- 一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法
- 本发明涉及一种P‑I‑N发电层结构及其制备方法以及透光太阳能电池及其制备方法。本发明P‑I‑N发电层结构中的P型掺杂层、I层本征吸收层和N型掺杂层均采用纳米SiOx薄膜材料制成，这种材料具有高的电导率、较高的光敏性和吸收...
- 傅广生于威黄艳红李云路万兵杨彦斌焦玉骁
- 文献传递
- 纳米硅结构薄膜光吸收的温度依赖特性被引量：4
- 2011年
- 综合考虑纳米硅结构薄膜的特殊性质,如量子限制效应、光学带隙和光跃迁振子强度对纳米硅粒径尺寸的依赖特性以及光吸收的温度依赖特性等,引入了一个解析表达式来分析具有一定粒径尺寸分布的纳米硅结构薄膜光吸收。结果表明,随着温度的增加,纳米硅结构的带隙减小,吸收光谱曲线整体向上平移,这种温度依赖关系与体硅基本相同。纳米硅结构薄膜光吸收拟合结果与实验数据的比较分析表明,该光吸收模型能够很好地解释纳米硅薄膜在吸收边范围内的光吸收。
- 丁文革苑静李文博杨彦斌于威傅广生
- 关键词：光吸收温度依赖纳米硅
- 非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展
- 2016年
- 综述了非晶/微晶相变区硅基薄膜的微观结构、光电特性及其在太阳能电池中的应用进展.稳定优质的宽带隙初始晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的非晶硅一侧,其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧,有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的叠层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度,引入相变区硅锗合金薄膜后,三结叠层电池初始效率已经达到16.3%,四结叠层太阳能电池理论效率可以超过20%.
- 范闪闪杨彦斌于威傅广生
- 关键词：叠层电池
