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张正璠
作品数:
3
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中华人民共和国工业和信息化部
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宋安飞
东南大学微电子中心
冯耀兰
东南大学微电子中心
施雪捷
东南大学微电子中心
樊路加
东南大学微电子中心
樊路嘉
东南大学微电子中心
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作者
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张正璠
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冯耀兰
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宋安飞
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樊路加
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电子器件
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第十二届全国...
年份
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2002
1篇
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薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27~300℃)宽温区高温特性的研究
被引量:2
2002年
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )
冯耀兰
樊路加
宋安飞
施雪捷
张正璠
关键词:
绝缘体上硅
金属-氧化物-半导体
MOS器件
一种实用的双层布线介质平坦化工艺技术
本文主要介绍一种实用的双层布线介质平坦化工艺—旋涂玻璃(spin-on-glass),对SOG的分子结构、工艺流程、等离子刻蚀、平坦化等进行了简单的叙述.
崔伟
欧益宏
张正璠
关键词:
双层布线
等离子刻蚀
集成电路
文献传递
高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究
被引量:1
2002年
本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7~ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7~ 30 0℃ )
冯耀兰
宋安飞
樊路嘉
张正璠
关键词:
CMOS倒相器
瞬态特性
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