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张正璠

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：中华人民共和国工业和信息化部更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇倒相器
  • 1篇等离子刻蚀
  • 1篇电路
  • 1篇双层布线
  • 1篇瞬态
  • 1篇瞬态特性
  • 1篇全耗尽
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇金属-氧化物...
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇刻蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇工艺技术
  • 1篇半导体
  • 1篇薄膜全耗尽
  • 1篇SOIMOS...
  • 1篇CMOS倒相...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 3篇中华人民共和...
  • 2篇东南大学

作者

  • 3篇张正璠
  • 2篇冯耀兰
  • 2篇宋安飞
  • 1篇樊路加
  • 1篇樊路嘉
  • 1篇施雪捷

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
薄膜全耗尽积累型SOIMOS器件在(27～300℃)宽温区高温特性的研究被引量：2
2002年
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰樊路加宋安飞施雪捷张正璠
关键词：绝缘体上硅金属-氧化物-半导体MOS器件
一种实用的双层布线介质平坦化工艺技术
本文主要介绍一种实用的双层布线介质平坦化工艺—旋涂玻璃(spin-on-glass),对SOG的分子结构、工艺流程、等离子刻蚀、平坦化等进行了简单的叙述.
崔伟欧益宏张正璠
关键词：双层布线等离子刻蚀集成电路
文献传递
高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1
2002年
本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠
关键词：CMOS倒相器瞬态特性
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