樊路嘉
- 作品数：10 被引量：24H指数：3
- 供职机构：东南大学更多>>
- 发文基金：新世纪高等教育教学改革工程国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 微电子专业生产实习课程的改革与实践被引量：12
- 2002年
- 介绍了重点工科高校电子类本科生生产实习课程的改革与实践所取得的一些成绩和经验。
- 樊路嘉陈德英
- 关键词：微电子专业教学改革素质教育高等教育
- 重点高校基层实验室固定资产管理探讨被引量：6
- 2003年
- 高校基层实验室固定资产,主要包括各种仪器、设备、办公器材等,直接面向教学、科研、开发应用等各方向,涉及到使用对象、合理配置、保管维护等诸多问题.牢固树立改革创新的思想方法,提倡资源共享,优化管理模式,加强规范操作,充分发挥高校仪器设备的资源优势,是现阶段高校实验室固定资产管理的重要课题.本文从管理者角度,探讨重点高校基层实验室固定资产管理的一些认识和方法.
- 樊路嘉
- 关键词：实验室固定资产管理数据库
- 在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究
- 2002年
- 本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火 (RTA)形成的多晶硅化镍膜的电特性。对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜 ,测试了其到衬底的泄漏电流 ,发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质。采用准静态C V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应 (PDE) ,并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响。结果表明 :即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜 ,也未曾观察到PDE。
- 樊路嘉秦明
- 关键词：硅化物
- 一种在物体表面制备薄膜的方法
- 本发明公开了一种在物体表面制备薄膜的方法，基于薄膜制备装置进行薄膜制备，具体包括如下步骤：（1）三维结构模型输入；（2）表面工艺点节点划分；（3）工艺点参数设置；（4）每步移动参数计算；（5）图形化定位；（6）机械手位置...
- 万能樊路嘉孙立涛
- 文献传递
- 紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚(英文)
- 2007年
- 在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。
- 王乐刘力宇张浩康樊路嘉张鲁川杨勇黄瑞坤周昕杰李栋良张平
- 关键词：紫外可见吸收光谱LAW
- PMOS辐照检测传感器被引量：5
- 2002年
- 比较了常用的 3种辐照剂量计 ,并详细介绍了PMOS辐照检测传感器的优点、制备工艺、工作模式。
- 陈德英张旭姜岩峰樊路嘉张会珍余艳玲
- 关键词：PMOS辐射剂量计
- 一种在物体表面制备薄膜的方法
- 本发明公开了一种在物体表面制备薄膜的方法，基于薄膜制备装置进行薄膜制备，具体包括如下步骤：（1）三维结构模型输入；（2）表面工艺点节点划分；（3）工艺点参数设置；（4）每步移动参数计算；（5）图形化定位；（6）机械手位置...
- 万能樊路嘉孙立涛
- 文献传递
- 地下油库储油测量仪
- 2001年
- 根据地下油库实际情况和储油量测量要求,本文介绍一种坚固可靠,使用安全的地下油库储油量测量仪,可以快速方便地测量油层厚度及渗水量,是一种非常实用的测量仪器.
- 樊路嘉邓宁冲
- 关键词：地下油库渗水量传感器频率调制测量仪
- 高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究被引量：1
- 2002年
- 本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )
- 冯耀兰宋安飞樊路嘉张正璠
- 关键词：CMOS倒相器瞬态特性
- 辐射敏感PMOS管的研制被引量：1
- 2002年
- 本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度 (L )和宽长比 (W/ L )的敏感管 ,并给出样品的直流参数的测试结果。
- 陈德英蔡振波姜岩峰张旭王成樊路嘉
- 关键词：PMOS管阈值电压漂移
