康晓辉
- 作品数：8 被引量：13H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 金属结单电子晶体管的模型建立及实验验证(英文)
- 2005年
- 在正统理论的基础上,使用主方程法建立了金属结单电子晶体管的器件模型和算法流程.将电容、电阻和温度等参数代入器件模型得到的I V特性曲线与实验结果吻合较好,从而验证了模型、算法以及程序流程的正确性.此外,通过详细讨论模拟与实验的三组曲线差别,得到模型使用主方程的稳态解是导致模拟与实验之间结果存在差别的主要原因,即求解含有时间的主方程将增加模拟精度;而且,指出镜像电荷引起的电势使电流随电压呈现指数增加的主要影响因素,明显偏离理论模拟的线性增加趋势.
- 张立辉李志刚康晓辉谢常青刘明
- 关键词：单电子晶体管库仑阻塞量子隧穿
- 部分耗尽SOI体接触nMOS器件的关态击穿特性(英文)被引量：1
- 2005年
- 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详细讨论和分析了所制成器件击穿特性的差异和击穿机制.在此基础上,提出了一个提高PD SOI体接触nMOS击穿特性的方法.
- 吴峻峰钟兴华李多力康晓辉邵红旭杨建军海潮和韩郑生
- 关键词：击穿硅化物
- 光学邻近效应校正及其在光学光刻中的应用
- 作为推进半导体产业不断发展的核心技术，光学光刻从出现以来就在集成电路生产中扮演着重要的角色。根据2004年12月ITRS发布的光刻技术发展蓝图，分辨率增强技术和浸没式光刻技术的应用能将193nm光学光刻技术推进到32nm...
- 康晓辉
- 关键词：光学光刻分辨率增强技术光学邻近效应校正可制造性设计集成电路
- 纳米压印光刻机
- 本实用新型一种压印光刻机，涉及微纳加工技术领域，具体地说，涉及用于纳米压印光刻的设备。该机主要由螺栓，上层板，中间板，传动螺栓，传动导向杆，压块和底层板组成，用螺栓、螺母连接固定。本设备结构新颖、简单，易于加工，并采用压...
- 康晓辉范东升
- 文献传递
- 193 nm光刻散射条技术研究被引量：3
- 2005年
- 介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。
- 康晓辉张立辉范东升王德强谢常青刘明
- 关键词：光刻离轴照明分辨率增强
- 一种提取电子束光刻中电子散射参数的新方法(英文)被引量：2
- 2005年
- 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法.此外,用此方法提取的电子散射参数被成功地用于相同实验条件下的电子束临近效应校正.
- 康晓辉李志刚刘明谢常青陈宝钦
- 关键词：电子束光刻
- 电子束制作高分辨率波带片图形数据研究被引量：4
- 2005年
- 根据圆环内部和相邻环分割单元之间的位置关系,设计了无间隙拼接处对齐和错开、有间隙拼接处对齐和错开四种结构模型。通过分析和比较这四种不同结构的高分辨率波带片图形数据,给出图形数据量和剖分单元数的变化关系曲线。根据扫描电子显微镜得到的实验结果,决定采用无间隙拼接处错开的模型。在使用负性抗蚀剂SAL601,电子束曝光剂量35μC,前烘温度75℃等条件下,制作出了最外环宽度为250nm的波带片。
- 王德强康晓辉谢常青叶甜春
- 关键词：电子束波带片
- 热压印光刻技术复制波带片图形研究被引量：3
- 2005年
- 针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环。初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制。
- 范东升王德强康晓辉陈大鹏谢常青
- 关键词：波带片纳米压印热压印
