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王德强

作品数：16 被引量：27H指数：4
供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信机械工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 12篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 11篇光刻
  • 7篇X射线光刻
  • 5篇波带片
  • 3篇电子束
  • 3篇电子束直写
  • 3篇衍射
  • 3篇射线
  • 3篇光学
  • 3篇分辨率
  • 3篇X射线
  • 2篇电子束光刻
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇电子束曝光系...
  • 2篇对准标记
  • 2篇衍射光栅
  • 2篇衍射特性
  • 2篇算子
  • 2篇图像
  • 2篇微光刻
  • 2篇微光刻技术

机构

  • 15篇中国科学院微...
  • 3篇中国科学院
  • 3篇中国工程物理...

作者

  • 16篇王德强
  • 10篇谢常青
  • 8篇叶甜春
  • 4篇张立辉
  • 4篇刘明
  • 3篇李金儒
  • 3篇康晓辉
  • 3篇陆晶
  • 3篇陈宝钦
  • 3篇任黎明
  • 3篇牛洁斌
  • 3篇范东升
  • 3篇汤跃科
  • 3篇曹磊峰
  • 3篇陈大鹏
  • 3篇龙世兵
  • 3篇薛丽君
  • 2篇刘业异
  • 2篇杨清华
  • 2篇王传珂

传媒

  • 4篇微细加工技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇微电子学
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
  • 3篇2006
  • 8篇2005
  • 3篇2004
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
热压印光刻技术复制波带片图形研究被引量：3
2005年
针对只需单次曝光的菲涅尔波带片器件,给出了结合电子束光刻和热压印光刻进行大规模复制的完整工艺路线,即首先采用电子束光刻制作热压印模版,之后用热压印光刻进行波带片的大规模复制,所制得的波带片图形的最外环宽度为250 nm,直径为196μm,环数为196环。初步实验结果表明,这种方法具有很好的重复性和易用性,且可以进行低成本波带片的精确复制。
范东升王德强康晓辉陈大鹏谢常青
关键词：波带片纳米压印热压印
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术
中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠...
陈宝钦任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强
关键词：微光刻技术电子束直写
文献传递
X射线光刻对准边缘增强技术及性能研究被引量：1
2004年
针对三种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的实验验证。采用一种新的测试方法,即先通过软件得到大量的数据,然后再进行数据分析,得出LAPLAC算子在识别精度和对准精度两个方面比较好,而改进后的SOBELII算子的对准时间最短,对准精度也很高。
王德强谢常青叶甜春刘业异胡松
关键词：X射线光刻拉普拉斯算子
电子束和X射线光刻制作高分辨率微波带片被引量：7
2006年
在硅为衬底材料的自支撑氮化硅薄膜上,采用阴阳图形互换转移技术,先使用电子束直写方法制作成功了最外环为150nm的阳图形微波带片,然后用同步辐射X射线光刻技术复制成功了最外环为150nm的阴图形微波带片,得到可以应用于ICF诊断技术中的微波带片.
王德强曹磊峰谢常青叶甜春
关键词：电子束X射线光刻菲涅耳波带片
光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术被引量：4
2006年
介绍如何实现光学和电子束曝光系统之间的匹配和混合光刻的技术,包括:(1)光学曝光系统与电子束曝光系统的匹配技术;(2)投影光刻和JBX-5000LS混合曝光技术;(3)接触式光刻机和JBX-5000LS混合曝光技术;(4)大小束流混合曝光技术或大小光阑混合曝光技术;(5)电子束与光学曝光系统混合光刻对准标记制作技术.该技术已成功地应用于纳米器件和集成电路的研制工作,实现了20nm线条曝光,研制成功了27n m CMOS器件;进行了50nm单电子器件的演试;并广泛地用于100nm化合物器件和其他微/纳米结构的制造.
陈宝钦刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌
关键词：微光刻技术电子束直写
电子束制作高分辨率波带片
建立应用于波带片制作的微光刻图形数据模型,给出了数据量和份数的变化关系.并对于电子束制作过程中遇到的'鼓包'、数据丢失以及场拼接的情况进行了分析,最终制作出了最外环宽度是250nm的波带片.
王德强谢常青叶甜春
关键词：电子束波带片
文献传递
具有单级衍射特性的新型光栅:量子点阵衍射光栅
王传珂曹磊峰况龙钰王哲斌刘慎业丁永坤王德强朱效立谢长青
光学波段量子点阵衍射光栅的衍射特性被引量：3
2008年
概述了量子点阵衍射光栅的原理及制作方法,并设计标定实验,研究了不同角度及不同波长入射情况下量子点阵光栅的衍射特性。研究结果表明:量子点阵光栅不存在高级衍射,只保留了±1级和0级衍射,具有理想的单级衍射模式。光学波段量子点阵衍射光栅的成功研制为研制紫外、X光波段具有单级衍射特征的光栅提供了契机。
王传珂况龙钰王哲斌曹磊峰刘慎业丁永坤王德强朱效立谢长青
关键词：衍射光栅衍射特性
X射线光刻对准系统图像增强技术和对准标记研究被引量：1
2005年
作为微细加工技术之一的高分辨率光刻技术--同步辐射X射线光刻(XRL)可应用于100nm及100nm节点以下分辨率光刻,高精度对准技术对XRL至关重要,直接影响到后续器件的生产质量。目前国内的XRL对准系统主要采用CCD相机和显微物镜采集图像,经过计算机图像处理程序进行自动对准;图像边缘分辨是图像处理部分的关键,直接决定了对准精度。针对3种不同的图像边缘增强方法进行了掩模和硅片识别精度以及对准精度的研究,并且初步设计了几种对准标记。
王德强谢常青陈大鹏叶甜春刘业异胡松
关键词：X射线光刻拉普拉斯算子对准标记
193 nm光刻散射条技术研究被引量：3
2005年
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。
康晓辉张立辉范东升王德强谢常青刘明
关键词：光刻离轴照明分辨率增强
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