您的位置： 专家智库 > >

周芳

作品数：3 被引量：32H指数：2
供职机构：昆明物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电路
  • 2篇探测器
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学腐蚀
  • 1篇读出电路
  • 1篇涂胶
  • 1篇化学腐蚀
  • 1篇集成电路
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面器件
  • 1篇光导
  • 1篇光导探测器
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻机
  • 1篇光刻技术
  • 1篇光刻胶
  • 1篇红外
  • 1篇红外探测
  • 1篇红外探测器
  • 1篇分辨率

机构

  • 3篇昆明物理研究...

作者

  • 3篇周芳
  • 2篇姜军
  • 1篇雷胜琼
  • 1篇杨铁锋
  • 1篇姚英
  • 1篇曾俊英
  • 1篇田萦

传媒

  • 3篇红外技术

年份

  • 2篇2002
  • 1篇2001
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践被引量：7
2002年
用铟柱进行探测器芯片与读出电路 (ROIC)之间的电气和机械连接是混合红外焦平面列阵(FPA)最常用的互连方式之一。根据现有的工艺设备和实验条件对在 6 4× 6 4ROIC上生长铟柱进行了优化工艺设计 ,并分析讨论了工艺过程及参数对生长铟柱质量的影响。通过工艺实践验证 ,在 6 4×6
雷胜琼姜军周芳杨彬
关键词：焦平面器件红外探测器
光刻技术的现状和发展被引量：23
2002年
着重从涂胶、曝光 (包括光源和曝光方式等 )。
姜军周芳曾俊英杨铁锋
关键词：光刻技术涂胶光刻机分辨率光刻胶集成电路
HgCdTe表面电化学腐蚀方法研究被引量：2
2001年
对HgCdTe晶片的研磨和抛光 ,不可避免的要在其表面造成可见的机械划痕和不可见的损伤区。表面损伤对探测器的影响很大 ,控制好HgCdTe晶片的表面损伤是制备高性能多元探测器一个重要的工艺环节。在本文中 ,用电化学腐蚀的方法观察到这种不可见损伤区的存在 ,用电子探针成分分析法验证了实验结果 ,对电化学腐蚀机理进行了讨论。实验结果表明 :通过电化学腐蚀方法可以直接观察HgCdTe表面不可见损伤区 ;即使是在显微镜下看到HgCdTe晶片有一个光亮和无划痕的表面 ,也可能存在不可见的损伤区。
周芳田萦姚英
关键词：电化学腐蚀光导探测器
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0