姜军
- 作品数：33 被引量：52H指数：4
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法
- 一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法，包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器；晶体生长炉设置有夹层，夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元；在不锈钢炉的...
- 姜军陈少璠赵文庹梦寒袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云姬荣斌
- 昆明物理研究所大面积水平推舟液相外延碲镉汞薄膜技术进展被引量：4
- 2023年
- 报道了近年来昆明物理研究所在富碲水平推舟液相外延碲镉汞外延薄膜制备技术方面的进展。2019年以来,突破了Ф120 mm碲锌镉晶体定向生长技术,使碲锌镉衬底沉积相和夹杂相密度≤5×103 cm^(-2),位错腐蚀坑密度(EPD)≤4.0×10^(4)cm^(-2),Ф120 mm(111)晶圆衬底的Zn组份分布极差≤0.36%。基于碲锌镉衬底技术的进步,液相外延碲镉汞薄膜的最大生长尺寸达到了70 mm×75 mm,薄膜位错腐蚀坑密度均值为5×10^(4)cm^(-2),X射线双晶回摆曲线半峰宽(DCRC-FWHM)≤35 arcsec,部分可控制到25 arcsec以下;50 mm×60 mm尺寸长波碲镉汞薄膜的厚度极差≤±1.25μm,室温截止波长极差≤±0.1μm,中波碲镉汞薄膜相应指标分别为≤±1μm、≤±0.05μm。材料技术的进展促进了制冷型碲镉汞探测器产能提升和成本的降低,也支撑了高性能长波/甚长波探测器、高工作温度(HOT)探测器以及2048×2048、4096×4096等甚高分辨率高性能探测器的研制。
- 孔金丞宋林伟起文斌姜军丛树仁刘燕荣徽宇许江明方东赵鹏姬荣斌
- 关键词：液相外延碲镉汞薄膜
- Cd1-xZnxTe晶体中由本征缺陷引起的导电类型转变界面研究被引量：2
- 2022年
- 在富Te生长条件下,采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB)生长的部分碲锌镉(Cd_(1-x)Zn_(x)Te,CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的原因,结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析,结果表明,碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位(V_(Cd))缺陷与Cd间隙(Cd_(i))缺陷导致的。在富Te条件的生长过程中,Cd空位缺陷易于形成,碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空位缺陷,材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中,Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中,促进了Cd间隙缺陷的形成,在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷,导致晶体材料的导电性转变为n型。
- 赵文孔金丞姜军赵增林陈少璠宋林伟俞见云陈珊庹梦寒李俊贺政姬荣斌
- 关键词：碲锌镉扩散
- 64×64焦平面器件读出电路铟柱列阵工艺设计及实践被引量：7
- 2002年
- 用铟柱进行探测器芯片与读出电路 (ROIC)之间的电气和机械连接是混合红外焦平面列阵(FPA)最常用的互连方式之一。根据现有的工艺设备和实验条件对在 6 4× 6 4ROIC上生长铟柱进行了优化工艺设计 ,并分析讨论了工艺过程及参数对生长铟柱质量的影响。通过工艺实践验证 ,在 6 4×6
- 雷胜琼姜军周芳杨彬
- 关键词：焦平面器件红外探测器
- 100 mm×100 mm液相外延碲镉汞薄膜技术进展
- 2024年
- 昆明物理研究所突破了φ150 mm碲锌镉单晶定向生长技术,实现了100 mm×100 mm碲锌镉衬底的小批量制备,位错腐蚀坑密度(EPD)≤4×10^(4) cm^(-2),沉积相尺寸小于5μm、沉积相密度小于5×10^(3) cm^(-2)。突破了大尺寸碲锌镉衬底表面处理以及大面积富碲水平推舟液相外延技术,实现了100 mm×100 mm大尺寸短波、中波碲镉汞薄膜材料的制备,薄膜表面质量优异,厚度极差优于±1.25μm,组分极差优于±0.0031,是目前国际上报道的最大面积碲锌镉衬底基碲镉汞薄膜材料。该材料为10k×10k及以上亿像素规模红外探测器的研制、4k×4k等规模大面阵红外探测器的量产奠定了坚实的基础。
- 邓文斌宋林伟孔金丞姜军杨晋起文斌万志远刘燕荣徽宇许江明杨翔朱逊郑要争姬荣斌
- 关键词：液相外延碲锌镉碲镉汞
- 一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法
- 本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分...
- 赵文孔金丞姜军李沛俞见云李俊陈少璠庹梦寒王静宇陈姗姬荣斌
- 一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法
- 本发明提供一种Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法，其特征在于包括以下步骤：S1，晶片表面清洁，S2，晶片初始厚度测量，S3，贴保护膜，S4，分步腐蚀得到阶梯台面，S5，择优腐蚀液使切割损伤显现，S6，对晶片台阶表面进行观...
- 段碧雯孔金丞江先燕宋林伟褚德亮郑要争董卫民彭倩文刘永传姜军
- 一种防脱落籽晶夹头
- 本实用新型提供一种防脱落籽晶夹头，包括其内设空腔的壳体，自下而上依次设置在壳体空腔中的夹头、压块及锁紧螺柱，壳体前端设为直径逐渐减小且端口敞开的圆锥形端头，夹头设为锥形夹头，且该锥形夹头由两个相同的左、右半体组成，并置于...
- 董卫民彭倩文段碧雯庹梦寒姜军赵文陈少璠褚德亮孔金丞赵俊姬荣斌
- 一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置
- 本发明公开了一种采用PBN坩埚合成碲锌镉晶体的方法及装置，该方法包括：利用PBN坩埚作为载体，在PBN坩埚内进行高温合成，实现碲锌镉多晶体材料的制备；同时为防止高温合成条件下材料发生化学反应导致材料溢出，增加高强度密封盖...
- 姜军孔金丞赵鹏陈少璠姬荣斌赵文袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云
- 一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置
- 本发明公开了一种用于增大碲锌镉单晶率的生长方法及装置，该装置包括PBN坩埚、支撑装置、碲锌镉材料、石英坩埚容器及加热单元；碲锌镉材料装入PBN坩埚并密封于石英坩埚容器内；石英坩埚容器置于支撑装置上；PBN坩埚包括籽晶引晶...
- 孔金丞姬荣斌姜军赵鹏赵增林陈少璠赵文庹梦寒贺政蔡春江李向堃
- 文献传递
