周玉刚
- 作品数：77 被引量：58H指数：5
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 流体组装的微米级器件模组及其制造方法
- 本发明公开了一种流体组装的微米级器件模组及其制造方法。所述流体组装的微米级器件模组包括支撑基板和微米级器件，所述微米级器件包括微米级功能芯片和中介基板，所述微米级功能芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和第...
- 周玉刚贾先韬许朝军张荣
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- 基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件及其制备方法
- 本发明公开了一种基于深硅刻蚀模板量子点转移工艺的微米全色QLED阵列器件。在蓝光LED外延片上设有贯穿p型GaN层、量子阱有源层，深至n型GaN层的阵列式正方形台面结构，其上刻蚀形成微米孔。台面结构每2*2个构成一个RG...
- 刘斌蒋迪余俊驰王轩陶涛潘丹峰谢自力周玉刚陈敦军修向前张荣
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- 具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法
- 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片，其特征在于包括：外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所...
- 周玉刚郭焱金楠梁志斌潘赛许朝军张荣
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- 用肖特基电容电压特性数值模拟法确定调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中的极化电荷被引量：1
- 2001年
- 研究发展了用肖特基电容 电压特性数值模拟确定调制掺杂AlxGa1 -xN GaN异质结中极化电荷的方法 .在调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上制备了Pt肖特基接触 ,并对其进行了C V测量 .采用三维费米模型对调制掺杂的Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结上肖特基接触的C V特性进行了数值模拟 ,分析了改变样品参数对C V特性的影响 .利用改变极化电荷、n AlGaN层掺杂浓度和肖特基势垒高度对C V曲线不同部分位置和形状影响不同 ,可以精确地求取极化电荷面密度 .通过模拟 ,得到Al0 2 2 Ga0 78N厚度为 45nm的调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N GaN异质结界面附近极化电荷面密度为 6 78× 10 1 2 cm- 2 .
- 周玉刚沈波刘杰周慧梅俞慧强张荣施毅郑有炓
- 关键词：极化电荷场效应晶体管调制掺杂
- 一种太赫兹波探测器件封装
- 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方设置太赫兹波反射层，实现芯片对太赫兹波的...
- 周玉刚李州张荣
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- 光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
- 2000年
- 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。
- 周玉刚李卫平沈波陈鹏陈志忠臧岚张荣顾书林施毅郑有翀
- 关键词：ALGANGAN金属有机化学气相淀积
- 一种太赫兹波探测器件封装
- 本发明公开了一种太赫兹波探测器件封装，包含至少一太赫兹波探测芯片和承载所述太赫兹波探测芯片的基板或支架，芯片电气面与所述基板或支架上的外引线电极的焊接面朝同一方向。在芯片电气面上方设置太赫兹波反射层，实现芯片对太赫兹波的...
- 周玉刚李州张荣
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- α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究被引量：4
- 1999年
- 本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下，加热样品至３００℃，光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化，对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样，发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升，停止光照，光电导锐利下降并出现振荡，表明光照停止后，载流子在导带和深陷阱能级的再分布．用一个浅能级陷阱和一个深能级陷阱的模型来近似导带边陷阱结构能很好的解释实验结果．另外，测得的光电导随光强的变化关系也进一步证实了模型的合理性．
- 陈志忠沈波杨凯杨凯陈浩张序余臧岚周玉刚陈鹏吴宗森臧岚陈峰
- 关键词：氧化铝氮化镓
- 氮化镓注镁(Mg:GaN)的光致发光被引量：9
- 2002年
- 利用低压 MOCVD在蓝宝石衬底上外延生长了 Ga N,用离子注入法掺入 Mg杂质 ,退火后 ,进行光致发光测量 ,观察到显著的蓝光发射和黄带发射 .光谱分析给出了与注入 Mg离子相关的 Ga N禁带中能级的精细结构 ,其中 :间位 Mg(Mgi)能级 (导带下 170 m e V)到替位 Mg(Mg Ga)受主能级 (价带上 2 5 0 me V)的跃迁产生了 4 15 nm发光峰 ;该能级到价带上 390 me V能级的跃迁 ,以及带有紧邻 N空位的替位 Mg(Mg Ga VN)能级 (导带下 310 me V)到Mg Ga受主能级的跃迁 ,均产生了 4 38nm发光峰 .另外 ,退火使 Ga N晶格结构部分恢复 。
- 谢世勇郑有炓陈鹏张荣周玉刚
- 关键词：氮化镓掺杂离子注入光致发光镁
- 金属/n型AlGaN欧姆接触被引量：12
- 2002年
- 用传输线模型对 n型 Al Ga N(n- Al Ga N)上 Au/ Pt/ Al/ Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量 .在85 0℃退火 5 min后 ,测得欧姆接触电阻率达 1.6× 10 - 4Ω· cm2 .经 X射线衍射分析 ,Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面固相反应得出在 5 0 0℃以上退火过程中 ,Al Ga N层中 N原子向外扩散 ,在 Al Ga N表面附近形成 n型重掺杂层 ,导致欧姆接触电阻率下降 ;随退火温度的升高 ,N原子外扩散加剧 ,到 80 0℃以上退火在 Au/ Pt/ Al/ Ti/ n- Al Ga N界面形成 Ti2 N相 。
- 周慧梅沈波周玉刚刘杰郑泽伟钱悦张荣施毅郑有炓曹春海焦刚陈堂胜
- 关键词：欧姆接触界面固相反应金属
