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陈鹏

作品数：236 被引量：192H指数：7
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 118篇专利
  • 69篇期刊文章
  • 28篇会议论文
  • 20篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 73篇电子电信
  • 25篇理学
  • 14篇一般工业技术
  • 10篇自动化与计算...
  • 8篇经济管理
  • 4篇机械工程
  • 4篇电气工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇建筑科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇环境科学与工...
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇农业科学
  • 1篇艺术

主题

  • 32篇氮化镓
  • 28篇发光
  • 28篇GAN
  • 27篇半导体
  • 23篇液晶
  • 23篇衬底
  • 18篇纳米
  • 18篇基板
  • 17篇量子
  • 15篇指向矢
  • 15篇二极管
  • 14篇氮化物
  • 14篇蓝宝
  • 14篇蓝宝石
  • 12篇导体
  • 11篇电极
  • 11篇MOCVD
  • 10篇氮化
  • 10篇多量子阱
  • 10篇光束

机构

  • 235篇南京大学
  • 3篇中国科学院
  • 3篇国网山东省电...
  • 3篇南京大学扬州...
  • 2篇江苏大学
  • 2篇南京电子器件...
  • 1篇东北大学
  • 1篇湖南大学
  • 1篇南京邮电大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇枣庄学院
  • 1篇微波毫米波单...
  • 1篇江苏省光电信...
  • 1篇青岛铝镓光电...

作者

  • 236篇陈鹏
  • 151篇张荣
  • 133篇郑有炓
  • 108篇谢自力
  • 93篇修向前
  • 83篇韩平
  • 68篇刘斌
  • 59篇施毅
  • 44篇赵红
  • 36篇陈敦军
  • 35篇沈波
  • 33篇陆海
  • 27篇陆延青
  • 27篇顾书林
  • 27篇刘斌
  • 26篇胡伟
  • 25篇江若琏
  • 25篇施毅
  • 24篇华雪梅
  • 22篇徐飞

传媒

  • 8篇Journa...
  • 8篇物理学报
  • 6篇高技术通讯
  • 6篇光电子技术
  • 6篇微纳电子技术
  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇半导体光电
  • 3篇光学学报
  • 3篇人工晶体学报
  • 3篇第十二届全国...
  • 3篇2000年中...
  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇发光学报
  • 2篇功能材料与器...
  • 2篇全国化合物半...
  • 2篇第13届全国...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇陶瓷学报
  • 1篇南京大学学报...

年份

  • 7篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 5篇2021
  • 10篇2020
  • 11篇2019
  • 26篇2018
  • 12篇2017
  • 11篇2016
  • 15篇2015
  • 8篇2014
  • 9篇2013
  • 10篇2012
  • 9篇2011
  • 14篇2010
  • 8篇2009
  • 11篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
共 236 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法
利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（IC...
刘斌张荣庄喆葛海雄郭旭谢自力陈鹏修向前赵红陈敦军陆海顾书林韩平郑有炓
文献传递
交流发光二极管的发展与挑战
本文综述了目前市面上商业化的AC LED产品与技术，例举了面临的主要技术难题。目前产品主要有韩国首尔半导体公司的Acriche系列，以及台湾工业技术研究院的相关产品，产品比较单一，应用面有待拓宽。AC LED刚刚步入成长...
王文杰陈鹏于治国杨国锋谢自力陈敦军刘斌修向前韩平张荣郑有炓
厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响被引量：2
2009年
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm-3,采用氮空位作为背景载流子起源的模型解释了随厚度增加载流子浓度的减小与迁移率的增大.光致发光峰随温度的S形非单调变化表明材料中的局域态参与了光学跃迁过程,结合局域态发光和能带收缩效应计算得到样品的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,指出较厚样品中缺陷态的减少是载流子局域化效应削弱的原因.
张曾张荣谢自力刘斌修向前李弋傅德颐陆海陈鹏韩平郑有炓汤晨光陈涌海王占国
关键词：氮化铟位错局域态
一种Fe<Sub>3</Sub>N材料的生长方法
一种Fe<Sub>3</Sub>N材料的生长方法，在MOCVD系统中生长，包括以下步骤：1)对蓝宝石衬底进行表面氮化；2)通入载气N<Sub>2</Sub>、氨气以及有机镓源，在衬底上合成生长低温GaN缓冲层；3)将温度...
张荣谢自力陶志阔刘斌修向前华雪梅赵红陈鹏韩平施毅郑有炓
文献传递
PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法
本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N<Sub>2</Sub>plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质...
刘斌吴耀政张荣李振华陶涛谢自力修向前陈鹏陈敦军施毅郑有炓
半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用
半导体材料生长设备的独立MO源管路及应用，设有3－5路进气管路，其中一路为V族氮源管路，一路为III族金属源混合管路，其余各路为独立的III族金属源管路，各路不同的源管路直接在靠近到达反应腔时再和其它反应源混合。本发明通...
谢自力张荣陈鹏刘斌李弋韩平修向前陆海江若琏施毅郑有炓
文献传递
提高Ⅲ族氮化物发光效率的LED量子阱结构及其生长方法
一种提高III族氮化物LED发光效率的量子阱结构，包括蓝宝石衬底层(6)，缓冲层(5)，过渡层(4)，N型导电层(3)，量子阱结构层(2)，P型导电层(1)以及电极层(7)；衬底层(6)上依次为GaN构成的缓冲层(5)，...
谢自力张荣韩平修向前陈鹏陆海刘斌顾书林施毅郑有炓
文献传递
一种液晶退偏器、制备方法和退偏测试系统
本发明公开了一种液晶退偏器、制备方法和退偏测试系统，包括:相对设置的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层和间隔粒子；第一基板和第二基板近邻液晶层的一侧设置有光控取向膜，邻近第一基板和/或第二基板的光...
胡伟魏冰妍陈鹏葛士军陆延青徐飞
文献传递
光导型GaN/Si探测器的研制被引量：7
2000年
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。探测器的光谱响应表明，在紫外波段250－360nm有近于平坦的光电流响应，363nm附近有陡峭的截止边，357nm波长处5V偏压下的响应度高达6.9A/W。响应度与偏压的变化关系表明，4V以前为线性增加，5V后达到饱和。
江若琏席冬娟赵作明陈鹏沈波张荣郑有炓
关键词：响应度MOCVD
一种液晶叉形偏振光栅以及制备方法
本发明公开了一种液晶叉形偏振光栅以及制备方法，所述液晶叉形偏振光栅包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和第二基板的液晶层；其中，所述第一基板上设置有间隔粒子，以支撑所述液晶层；所述第一基板和第二基板近...
胡伟陈鹏魏冰妍季玮葛士军陆延青徐飞
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