刘凤琴
- 作品数：29 被引量：56H指数：4
- 供职机构：中国科学院高能物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程更多>>
- 氧覆盖Fe(110)表面上的CO吸附
- 1997年
- 使用ＨＲＥＥＬＳ、ＸＰＳ及ＴＤＳ在室温下考察了氧吸附Ｆｅ（１１０）上的ＣＯ吸附态，观察到了振动频率为２１２０ｃｍ－１的ＣＯ弱吸附态，３种检测手段的结果相互支持。
- 邓俊琢刘凤琴荀坤王弘立
- 关键词：一氧化碳吸附态
- 北京同步辐射光电子能谱实验站近期研究概况
- 2002年
- 随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。
- 奎热西吴自玉钱海杰张静买买提明陈志刚苏润刘凤琴
- 关键词：电子结构
- GaN表面极性的光电子衍射研究被引量：3
- 2004年
- 利用x射线光电子衍射的极角扫描模式 ,采集了GaN(0 0 0 1)表面由 (10 10 )和 (112 0 )晶面产生的光电子衍射实验曲线 ,并运用光电子衍射的前向聚焦效应确定了GaN(0 0 0 1)表面是Ga在最外层的极性面 .利用与能量有关的光电子衍射即角分辨光电发射精细结构谱技术并结合多重散射团簇模型计算对GaN(0 0 0 1)表面的极化性质进行了研究 。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强谢长坤李拥华刘凤琴易布拉欣.奎热西
- 关键词：氮化镓半导体材料
- CO在表面有序合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附
- 1992年
- 用高分辨电子能量损失谱研究CO在有序表面合金Cu{001}c(2×2)-Pd上的吸附位置,在240K,CO仅直立地吸附在Pd原子的顶位;在135K,低覆盖度时,CO仅直立地吸附于Pd原子顶住,覆盖度增加后,CO同时直立地也吸附于Pd和Cu原子的顶位。
- 吕斯骅刘国良姚军刘凤琴吴思诚
- 关键词：原子一氧化碳
- 低维C_(60)系统电子结构的研究被引量：1
- 1994年
- 本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。
- 荀坤吴思诚姚军邓俊琢刘凤琴吕斯骅王祖铨韩汝珊
- 关键词：低维电子结构碳60
- 己烯在Ru(1010)表面价带电子特性研究被引量：1
- 2002年
- 在200K以下己烯(C6H12)可以在Ru(101珔0)表面上以分子状态稳定吸附.偏振角分辨紫外光电子谱(ARUPS)结果表明,己烯分子在垂直于衬底表面并沿衬底表面<12珔10>晶向的平面内,己烯分子的轴向沿<12珔10>晶向倾斜.随着衬底温度的提高,到200K以上,己烯分解生成新的碳氢化合物.己烯分解后,πCH分子轨道能级向高结合能方向移动了0.2eV,同时己烯中C的1s能级向低结合能方向移动了0.3eV.
- 张建华庄友谊吴悦鲍世宁刘凤琴奎热西.易卜拉欣钱海杰
- 关键词：己烯脱氢电子结构催化剂
- WO3／4，4‘—BAMBp超晶格薄膜的光致变色XPS研究
- 1998年
- 测定了WO3／4，4'－BAMBp超晶格薄膜光致变色前后的XPS光谱，发现薄膜在光致变色后有W^5+生成；同时，氮元素由两种形态变化成三种形态，得到了与无定形WO3不同的光致变色机理。
- 陈朝晖刘凤琴等
- 关键词：光致变色XPS氧化钨
- 北京同步辐射光电子能谱实验站近期实验概况被引量：3
- 2003年
- 随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行,用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验进行介绍。
- 奎热西吴自玉钱海杰张静买买提明陈志刚陈志刚苏润
- 关键词：光电子能谱
- K3C60取向相变的同步辐射光电子谱研究
- 2001年
- 在190K，220K和300K3个不同温度下测量了K3C60单晶薄膜沿[111]方向发射的同步辐射角分辨光电子谱。样品温度为190K时，能够观察到导带有规律的色散，并且带结构与已报道的温度为150K时的结果基本一样。而在220K附近，导带的许多子峰消失，色散不再存在。这两个温度的实验结果与K3C60在200K存在取向相变相符合，并且可在反铁磁Ising模型基础上得到理解。这种模型的定量分析结果还首次对K3C60在200K的相变机理作出了解释，即相变是由低温下的一维无序取向结构转变为200K以上的双取向结构畴与无序分子（约占40%）的混合。室温光电子谱与低温下的结果显著不同，对应于C60分子取向在室温附近的动态无序。
- 徐亚伯刘凤琴
- 关键词：K3C60取向相变同步辐射光电子谱电子结构晶体结构晶格
- 弧光放电法原位清洗光学元件被引量：5
- 2001年
- 光学元件受到污染后其光学性能会变差 ,如何对其进行清洗 ,尽可能地恢复其原来的性能 ,使其能够重新使用显得很重要。本文介绍一种碳污染的原位清洗方法———射频弧光放电法 ,利用原子氧与光学元件表面所沉积的碳反应以达到清洗的目的。清洗装置建立后对北京同步辐射装置 (BSRF)上所使用的光学元件进行了清洗 ,取得了较好的效果。
- 钱海杰刘凤琴陶小平陶冶侯雪颖
- 关键词：光学元件弧光放电污染光束线
