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俞锦陛

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇等离子体
  • 2篇原子层外延
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇量子效率
  • 2篇晶格
  • 2篇超晶格
  • 1篇等离子体发生...
  • 1篇电场耦合
  • 1篇电子显微术
  • 1篇真空系统
  • 1篇射频激励
  • 1篇石英
  • 1篇探测器
  • 1篇配位
  • 1篇激光
  • 1篇高真空
  • 1篇高真空系统
  • 1篇工作气体
  • 1篇光电

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇俞锦陛
  • 3篇乔怡敏
  • 3篇于梅芳
  • 3篇郭世平
  • 2篇袁诗鑫
  • 2篇陈新禹
  • 2篇何力
  • 2篇王善忠
  • 2篇杨建荣
  • 2篇谢钦熙
  • 2篇姬荣斌
  • 2篇李杰
  • 2篇许颐璐
  • 2篇彭中灵
  • 2篇巫艳
  • 1篇童裴明
  • 1篇陈伯良
  • 1篇丁素珍
  • 1篇方晓明
  • 1篇沈杰

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 2篇1998
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1900
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
等离子体活性氮源的研制被引量：2
1998年
ZnSe基材料是研制蓝绿色发光器件的首选材料之一。本文报道一种自己研制的、以石英管为主体结构材料的、可适用于ZnSe基材料分子束外延掺杂的简易等离子体活性氛源。该氛源采用射频激励方式激活氮分子。在适当生长条件下，利用装备有该氮源的国产FW－Ⅲ型分子束外延设备，成功地生长出了p型ZnSe优质单晶薄膜。SIMS测量表明，薄膜中氮浓度高达～2．3×1020cm－3；C-V测量表明，净空穴浓度［Na］－［Nd］为～5×1017cm-3，已经达到制备原理性蓝绿色激光二极管的要求（～4．0×1017cm-3）。
王善忠许颐璐姬荣斌巫艳俞锦陛乔怡敏于梅芳杨建荣何力
关键词：射频激励等离子体发光器件
真空系统用石英活性气体发生装置
本实用新型提供一种新型的适用于超高真空用的用石英材料制作的气态活性原子、分子发生装置。它是将经过减压后工作气体通过真空漏阀输入到石英反应腔。在反应腔,气体与射频电场耦合产生的活性原子的分子的复合体通过泻流孔泄放至超高真空...
王善忠许颐璐杨建荣俞锦陛姬荣斌巫艳郭世平何力
文献传递
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
文献传递
红外光电探测器材料和器件的电子显微研究
陈伯良俞锦陛童裴明丁素珍沈杰方晓明王行
该项成果运用电子显微术针对当前红外光电探测器材料和器件领域的三元系晶件材料组分均匀性、夹杂相和微沉淀、晶体质量评价标准、表面电学特性等难题，对碲镉汞、碲锡铅、锑化铟等材料的微观性质和器件光敏特性开展了系统和深入的研究。在...
关键词：
关键词：探测器红外光电材料电子显微术
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所...
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
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