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乔颖
作品数:
1
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供职机构:
北京大学微电子学研究院
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王金延
北京大学微电子学研究院
张兴
北京大学微电子学研究院
黄如
北京大学微电子学研究院
于民
北京大学微电子学研究院
杨杰
北京大学微电子学研究院
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2008
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SiGe衬底离子注入模拟研究
2008年
运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。
李强
乔颖
杨杰
于民
王金延
黄如
张兴
关键词:
锗硅
离子注入
分子动力学
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