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乔颖

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学微电子学研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇动力学
  • 1篇锗硅
  • 1篇离子注入
  • 1篇分子
  • 1篇分子动力学
  • 1篇SI

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇乔颖
  • 1篇杨杰
  • 1篇于民
  • 1篇黄如
  • 1篇张兴
  • 1篇王金延

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiGe衬底离子注入模拟研究
2008年
运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟B离子注入到Ge以及Si1-xGex衬底的结果与SIMS数据进行对比,模型和模拟方法得到了验证。在此基础上,针对不同组分的Si1-xGex衬底进行了离子注入模拟,模拟了Ge组分的变化对于Si1-xGex衬底离子注入的影响。
李强乔颖杨杰于民王金延黄如张兴
关键词：锗硅离子注入分子动力学
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共1页<1>
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