王金延
- 作品数：55 被引量：14H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 金属有机化学汽相淀积生长的本征氮化镓中持续光电导和复合机制的研究(英文)
- 2006年
- 通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360 nm～377 nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制。实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响。基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的。
- 邓冬梅吴春瑜王金延文正郝一龙王阳元
- 关键词：电子陷阱
- 一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法
- 本发明提供一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：在氮化镓基材料表面淀积保护层；在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；去除待做刻蚀区域的保护层；去除剩余光刻胶；对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理...
- 徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
- 文献传递
- 双面硅多条探测器的测试被引量：4
- 2011年
- 介绍了由中国科学院近代物理研究所和北京大学微电子研究院联合研制的双面硅多条探测器的初步测试过程及测试结果。测试内容包括:探测器的电特性、能量分辨率、二维能谱、条间串扰(crosstalk)。在-25 V全耗尽偏压下,各条的反向漏电流均小于10 nA,对于5.486 MeV的α粒子,正面各条的能力分辨率在1.5%左右,条间串扰在6%左右;背面各条能量分辨率稍差,在3%左右,其条间串扰在1%左右。同时对进口的Micron BB1直流耦合单边读出的双面硅条探测器做了相同测试,并进行了性能对比。
- 李占奎巩伟谭继廉魏计房王柱生韩励想田大宇于民王金延张录
- 关键词：电性能能量分辨率
- 氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法
- 本发明公开了一种氮化镓基器件的欧姆接触及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化镓基器件的欧姆接触，由钛金属层、铝金属层、阻挡金属层和金金属层组成，与氮化镓基器件欧姆接触的是钛金属层，钛金属层上覆盖铝金属层，在钛金属层和铝...
- 董志华王金延郝一龙文正王阳元
- 文献传递
- 超薄硅基粒子探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括P区，N区以及夹在两者之间的硅层；所述P区周围设有保护环，保护环和P区不相接触；...
- 李科佳王金延田大宇张录张太平金玉丰
- 文献传递
- 基于自停止刻蚀的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法
- 本发明提供一种基于自停止刻蚀工艺的凹槽栅氮化镓基增强型器件的制备方法，其步骤包括：在氮化镓基表面光刻器件区域并刻蚀非器件区域，在该器件区域形成源漏端欧姆接触；淀积保护层；在保护层上涂敷光刻胶并光刻凹槽栅区域图形；刻蚀凹槽...
- 徐哲王金延刘洋蔡金宝刘靖骞王茂俊谢冰吴文刚
- 文献传递
- 纳米尺度硅基集成电路新器件与新工艺研究
- 黄如张兴刘晓彦王阳元韩汝琦张盛东许铭真康晋锋于民何燕冬杜刚廖怀林孙雷许晓燕王金延
- 该成果依托973和国家自然科学基金重点项目，面向纳米尺度硅基集成电路技术中的诸多挑战，从新型器件结构与制备工艺、可靠性、器件与工艺模拟软件等方面开展了系统深入的研究，发明了多种面向不同应用和不同集成电路技术代的新器件及新...
- 关键词：
- 关键词：硅基集成电路可靠性物理模型模拟软件
- 一种集成MIS-HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用
- 本发明公开了一种集成MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管的方法及应用,属于电力电子技术中功率半导体器件领域。本发明将MIS‑HEMT器件和GaN混合阳极二极管在器件宽度方向上进行交叉设置，形成叉指并联结构，且MIS...
- 张斌王金延李梦军陶倩倩王鑫汪晨吴文刚
- 探测微小空间碎片的MOS电容传感器设计研究被引量：1
- 2013年
- 获得在轨微小碎片环境数据,是建立、检验和完善微小碎片环境模型不可缺少的手段。国内空间碎片研究工作的深入开展,须要研制适合搭载到航天器上的微小碎片探测器,以完成轨道空间的微小碎片的质量、尺寸、速度及飞行方向等参数的测量。微小碎片撞击到金属-氧化物-半导体(MOS)电容传感器,会导致传感器放电和充电,通过检测充电过程的电脉冲信号,记录微小空间碎片撞击事件,从而获得微小空间碎片通量。文章就探测微小碎片的MOS电容传感器设计及其地面高速粒子撞击模拟试验进行了研究,并验证其探测微小空间碎片的可行性。
- 何正文张明磊向宏文吴中祥王金延
- 关键词：MOS电容
- 曲面结构的硅漂移探测器
- 本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片，位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极，施加于所述入射面的反向偏置电压，和位于所述N型硅片的背面的阳极，其特征在于，所述硅漂移探测器还包括位于所述...
- 蔡璐于民羊晋王金延金玉丰
