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鞠振刚

作品数:9 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇探测器
  • 4篇紫外探测
  • 4篇紫外探测器
  • 3篇太阳
  • 3篇金薄膜
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇合金
  • 3篇合金薄膜
  • 2篇导体
  • 2篇生长温度
  • 2篇锌源
  • 2篇金属有机化学...
  • 2篇化学反应
  • 2篇工业化
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇ZN
  • 2篇
  • 2篇MOCVD

机构

  • 8篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 9篇鞠振刚
  • 7篇申德振
  • 6篇张吉英
  • 5篇姚斌
  • 5篇李炳辉
  • 5篇单崇新
  • 3篇范希武
  • 3篇张振中
  • 3篇赵东旭
  • 2篇吕有明
  • 2篇倪佩楠
  • 2篇王双鹏
  • 2篇蒋大勇

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇中国光学与应...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
MOCVD制备MgZnO薄膜及其紫外光电探测器
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MsM)结构,...
鞠振刚张吉英单崇新姚斌吕有明申德振范希武
关键词:光电探测器金属有机物化学气相沉积合金薄膜湿法刻蚀
文献传递
采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
复合模式生长半导体薄膜的方法及装置,涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层;再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
制备太阳盲紫外探测器的方法
本发明涉及紫外探测器的制备方法,特别是一种制备太阳盲紫外探测器的方法,采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层,在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层,用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极,所述的氧锌镁膜层是在以下工...
鞠振刚张吉英单崇新申德振姚斌赵东旭张振中李炳辉
文献传递
立方ZnMgO材料及太阳盲紫外探测器研究
MgZnO材料由于带隙调制范围宽(3.36 eV~7.8 eV,370~159 nm),对可见光具有陡峭截止等优点,使其紫外探测器具有更高的探测灵敏度。此外,该材料有匹配的生长衬底(ZnO或MgO),再加上生长温度低,其...
鞠振刚
关键词:立方相
制备太阳盲紫外探测器的方法
本发明涉及紫外探测器的制备方法,特别是一种制备太阳盲紫外探测器的方法,采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备氧锌镁膜层,在该氧锌镁膜层上再蒸镀Au膜层,用湿法刻蚀Au膜层制备出叉指形电极,所述的氧锌镁膜层是在以下工...
鞠振刚张吉英单崇新申德振姚斌赵东旭张振中李炳辉
文献传递
采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置
复合模式生长半导体薄膜的方法及装置,涉及半导体材料生长技术及设备制造领域。解决现有技术制备方法制备的薄膜结晶质量差、生产速率慢的问题。通入ALD反应前驱体A在衬底表面形成单原子层;再通入ALD反应前驱体B与ALD反应前驱...
单崇新鞠振刚倪佩楠李炳辉王双鹏申德振
文献传递
用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器被引量:9
2008年
考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点,本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜,制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲(太阳盲)波段的光响应,典型的光响应峰值分别在225和250 nm,截止边为230和273 nm。
张吉英蒋大勇鞠振刚申德振姚斌范希武
关键词:射频磁控溅射
金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
2006年
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。
鞠振刚张吉英吕有明申德振姚斌赵东旭张振中李炳辉范希武
关键词:光致发光
MOCVD生长MgZnO薄膜及太阳盲紫外光电探测器被引量:2
2008年
利用MOCVD在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极,构成金属-半导体-金属(MSM)结构,实现了在10V偏压下,器件的光响应峰值在250nm,截止边为273nm的MgZnO太阳盲光电探测器。
鞠振刚张吉英蒋大勇单崇新姚斌申德振吕有明范希武
关键词:金属有机化学气相沉积
共1页<1>
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