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薛超
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46
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H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团公司第十八研究所
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电气工程
电子电信
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合作作者
孙强
中国电子科技集团公司第十八研究...
高鹏
中国电子科技集团公司第十八研究...
肖志斌
中国电子科技集团公司第十八研究...
刘如彬
中国电子科技集团公司第十八研究...
姜明序
中国电子科技集团公司第十八研究...
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薛超
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一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法
本发明公开了一种将砷化镓外延层转移至金属柔性衬底的方法,使用金属箔作为转移支撑衬底,有效减轻器件重量,提高重量比功率,同时具有柔性功能。使用金属键合方法,具有稳定且良好导电性的连接方式,采用真空蒸发的方式制备键合金属层,...
姜明序
石璘
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王帅
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
文献传递
一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法
本发明公开一种带有全方位反射器的倒装多结太阳电池及其制备方法,包括硅衬底;ODR全方位反射器,位于硅衬底之上,由低折射率的介质层和高反射率的金属层构成;太阳电池外延层;栅线及背电极。ODR全方位反射器可使透过电池基体的长...
刘丽蕊
薛超
石璘
张无迪
姜明序
文献传递
一种柔性薄膜太阳电池弯曲试验测试用装置
本发明公开了一种柔性薄膜太阳电池弯曲试验测试用装置,属于柔性太阳电池技术领域,包括:两条平行的直线导轨;固定于两条直线导轨上的固定支杆;置于两条直线导轨上的滑动支杆;带动滑动支杆沿着两条直线导轨运动的动力机构;承载柔性薄...
薛超
郭宏亮
孙强
刘如彬
姚立勇
张启明
张恒
文献传递
一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法
本发明公开了一种四结砷化镓太阳电池的标准子电池制备方法,属于太阳电池技术领域,其特征在于:包括:S1、采用金属有机化学气相沉积技术正向生长四结砷化镓太阳电池,在锗衬底上依次生长0.67eV的Ge电池、1.1eV的InGa...
薛超
孙强
刘如斌
张启明
张恒
薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺
本发明公开了一种薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺,上述衬底保护结构包括:GaAs电池、牺牲层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保...
薛超
姜明序
高鹏
孙强
肖志斌
具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法
本发明公开了一种具有量子阱结构的双结叠层GaAs电池及其制备方法,采用金属有机化学气相沉积法MOCVD,外延制备含有AlAs/GaAs的Bragg反射器、InGaAs量子阱的InGaAs/InGaAs双结激光电池,并包含...
张无迪
高鹏
薛超
刘丽蕊
石璘
姜明序
一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法
本发明涉及一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法:(1)制备三结太阳电池外延片,表面涂覆光刻胶;(2)采用光刻显影,在光刻胶上绘制二极管区域与电...
石璘
王宇
姜明序
张无迪
薛超
刘丽蕊
高鹏
刘如彬
张启明
肖志斌
孙强
文献传递
一种量子点五结太阳能电池的制备方法
本发明涉及太阳能电池领域,主要公开了一种量子点五结太阳能电池的制备方法。该电池采用MOCVD技术外延正向生长制备InP两结太阳能电池以及外延反向生长制备GaAs三结太阳能电池,通过半导体直接键合工艺将InP两结太阳能电池...
高鹏
薛超
张无迪
刘如彬
肖志斌
孙强
文献传递
一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法
本发明提供了一种将砷化镓外延层转移至有机柔性衬底的方法,在有机柔性衬底和外延衬底上分别涂覆有机粘结剂;有机柔性衬底为有机薄膜,外延衬底为砷化镓衬底,砷化镓衬底与外延层之间加入GaInP阻挡层构成外延片,被两块石墨片夹紧的...
姜明序
石璘
姚立勇
张无迪
刘丽蕊
薛超
高鹏
张恒
张启明
唐悦
刘如彬
李慧
王立功
王宇
宋健
吴艳梅
肖志斌
孙强
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利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺
本发明属于太阳能电池领域,具体提供了一种利用选择腐蚀衬底剥离制备薄膜太阳能电池的工艺,包括下述步骤:在支撑衬底上,依次生长电池有源层、电池本体层;在电池本体层方向,使用BCB胶与廉价衬底键合;选择腐蚀衬底剥离工艺将支撑衬...
高鹏
孙强
肖志斌
刘如彬
薛超
张启明
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