2024年7月17日
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刘如彬
作品数:
72
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H指数:2
供职机构:
中国电子科技集团公司第十八研究所
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相关领域:
电气工程
电子电信
金属学及工艺
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合作作者
孙强
天津蓝天太阳科技有限公司
张启明
中国电子科技集团公司第十八研究...
张恒
中国电子科技集团公司第十八研究...
高鹏
中国电子科技集团公司第十八研究...
唐悦
中国电子科技集团公司第十八研究...
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2009
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一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法
本发明公开了一种锗基砷化镓太阳电池及制备方法,属于太阳电池技术领域,从下至上依次包括:锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、Ga<Sub>1‑a</Sub>In<Sub>a</Sub>As晶格渐变缓冲...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法,包括在衬底上依次生长GaN成核层、GaN缓冲层、n-GaN层和p-GaN层,其特征在于:在n-GaN层和p-GaN层之间还生长未掺杂的i-In<Sub>x</...
刘如彬
孙强
张启明
王帅
康培
高鹏
穆杰
文献传递
一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法
本发明涉及一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法。本发明属于半导体材料技术领域。一种多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀方法,其特点是:多结太阳电池渐变缓冲层的腐蚀过程为:在砷化镓衬底上生长0.8‑1.2μm的GaAs缓冲层,18...
王帅
刘如彬
孙强
肖志斌
高鹏
张启明
王立功
李慧
文献传递
一种锗基晶格失配四结太阳电池
本发明公开了一种锗基晶格失配四结太阳电池,属于太阳电池技术领域,其特征在于,自下而上依次包括:锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)<Sub>1‑b</Sub>In<Sub>b</Sub>...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
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一种五结叠层太阳电池及其制备方法
本发明涉及太阳电池技术领域,提供一种五结叠层太阳电池及其制备方法,所述五结叠层太阳电池包括三结电池结构和双结电池结构;三结电池结构依次包括GaAs帽层、AlGaInP子电池、第一隧穿结、AlGaAs子电池、第二隧穿结、G...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
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一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法
本发明涉及一种带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法。本发明属于太阳电池技术领域。带有集成式旁路二极管的太阳电池的制备方法:(1)制备三结太阳电池外延片,表面涂覆光刻胶;(2)采用光刻显影,在光刻胶上绘制二极管区域与电...
石璘
王宇
姜明序
张无迪
薛超
刘丽蕊
高鹏
刘如彬
张启明
肖志斌
孙强
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一种正向失配五结太阳电池
本发明公开了一种正向失配五结太阳电池,属于太阳能电池结构技术领域,其特征在于,从下至上依次包括:锗衬底、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P成核层、Ga<Sub>0.99</Sub>In<S...
张启明
刘如彬
张恒
唐悦
宋健
孙强
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一种双面生长的InP五结太阳电池
本发明公开了一种双面生长的InP五结太阳电池,包括双面抛光的InP衬底,InP衬底上表面设置有(Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>)<Sub>y</Sub>In<Sub>1-y</Sub>P子电...
张恒
孙强
刘如彬
张启明
唐悦
一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池
本发明涉及一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池,包括一衬底,其上依次为GaN成核层、GaN缓冲层、Si掺杂的n-GaN层和Mg掺杂的p-GaN层,其特点是:Si掺杂的n-GaN层上生长有i-In<Sub>x</Sub...
刘如彬
孙强
张启明
王帅
康培
高鹏
穆杰
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一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法
本发明涉及一种制备高效五结太阳电池的低温半导体键合方法,首先分别在GaAs和InP衬底上生长不同带隙但晶格匹配的外延层,然后通过低温半导体键合方法,将两组外延层串联起来构成5结太阳电池。在键合工艺中首先采用化学机械抛光工...
王赫
高鹏
张恒
刘如彬
张无迪
孙强
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