曾春来
- 作品数：3 被引量：22H指数：2
- 供职机构：湖南师范大学物理与信息科学学院更多>>
- 发文基金：湖南省教育厅优秀青年基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 化学气相沉积法制备氧化锡自组装纳米结构被引量：16
- 2007年
- 采用化学气相沉积法在镀有5-10nm厚金膜的SiO2衬底上,通过控制生长条件,实现了二氧化锡纳米结构的自组装生长,成功制备出了莲花状和菊花状的二氧化锡自组装纳米结构.利用扫描电子显微镜、X射线衍射等表征分析手段对样品的表面形貌、结构及成份进行表征和研究.并在此基础上,讨论了两种自组装纳米结构的生长机制.
- 刘星辉唐东升曾春来海阔解思深
- 关键词：化学气相沉积氧化锡
- SnO<,2>一维纳米结构的控制生长与表征
- SnO<,2>是一种典型的半导体型金属氧化物，其禁带宽度为3.6eV(300K)。由于SnO<,2>一维纳米材料具有特殊的物理性质，以及在光电子装置、气敏传感器、透明电极、太阳能电池等领域有着广泛的应用前景，使得其倍受关...
- 曾春来
- 关键词：二氧化锡一维纳米材料化学气相沉积法掺杂改性
- 文献传递
- 化学气相沉积法中SnO_2一维纳米结构的控制生长被引量：8
- 2007年
- 以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构.通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.
- 曾春来唐东升刘星辉海阔羊亿袁华军解思深
- 关键词：二氧化锡纳米线
