袁华军
- 作品数：7 被引量：23H指数：4
- 供职机构：湖南师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”湖南省自然科学杰出青年基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程理学更多>>
- 化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列被引量：4
- 2011年
- 运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.
- 彭跃华周海青刘湘衡何熊武赵丁海阔周伟昌袁华军唐东升
- 关键词：一维纳米结构阵列化学气相沉积法
- 纳米结构ZrO_2(Y)和ZrO_2(Y)-Al_2O_3粉体低温退火前后的结构和性质被引量：1
- 2001年
- 研究等离子体 -化学方法制备的纳米结构 Zr O2 -Y2 O3 和 Zr O2 -Y2 O3-Al2 O3 粉体及其不同温度退火前后的结构、性质变化 .结果表明 ,用这种方法制备的粉体 ,烧结后具有很好的聚合性能 ,聚合结构可达到 1～ 2 μm,且内部晶粒尺寸很小 (2 5～ 35 nm) ;在 12 0 0℃以下退火 ,X射线衍射图谱上没有 Al2 O3 的衍射峰 ;对于两种体系 ,主相 Zr O2 的结构虽大致相同 ,但当低温退火 (<12 0 0℃ )时其在 Zr O2 -Y2 O3 体系中的晶格畸变比在 Zr O2 -Y2 O3-Al2 O3 系统中的变化更大 ;晶粒尺寸 (D)为 10～ 15
- KulkovS袁华军韩炜MelinikovA邹广田
- 关键词：退火氧化钇
- 大面积α-Fe_2O_3纳米线及纳米带阵列的制备研究被引量：5
- 2009年
- 以铁箔为原材料和基片,通过控制热氧化过程中的宏观实验条件(载气流量及其组分、压强、温度分布和反应时间等),实现了α-Fe2O3一维纳米结构的可控生长,获得了大面积(10mm×10mm)、单分散性好、沿[110]方向生长的α-Fe2O3纳米带或纳米线阵列.对不同宏观实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征和分析,认为热氧化过程中α-Fe2O3一维纳米结构的生长遵循类似气-固机制的顶端生长模式,生长点铁原子和氧原子比是控制α-Fe2O3一维纳米结构生长的关键因素.
- 海阔唐东升袁华军彭跃华罗志华刘红霞陈亚琦余芳羊亿
- 关键词：Α-FE2O3一维纳米结构热氧化法
- 衬底对化学气相沉积法制备氧化硅纳米线的影响被引量：5
- 2003年
- 通过化学气相沉积法在不同衬底上制备了大量的氧化硅纳米线 .选用衬底为Si片、带有约 10 0nm厚SiO2 氧化层Si片和石英片 .利用场发射扫描电子显微镜 (SEM)和透射电镜 (TEM ,配备有能谱仪 )对样品的表面形貌、结构和成分进行研究 .结果表明 :这些纳米线都为非晶态 ,但在不同衬底上生长的纳米线形貌、尺寸和化学成分不同 .讨论了各种衬底对不同特征氧化硅纳米线生长的影响 .
- 闫小琴刘祖琴唐东升慈立杰刘东方周振平梁迎新袁华军周维亚王刚
- 关键词：衬底氧化硅化学气相沉积纳米线纳米材料
- ZrO<,2>(3Y)和Al<,2>O<,3>+ZrO<,2>(3Y)纳米微粉的退火与烧结研究
- 该论文采用等离子体化学方法制备出ZrO<,2>(3Y)和Al<,2>O<,3>+ZrO<,2>(3Y)纳米微粉,并对这三种纳米微粉进行低温退火与常规烧结的研究.研究结果表明,等离了体所制备的纳米微粉具有尺寸小、晶格畸变度...
- 袁华军
- 关键词：纳米微粉等离子体纳米陶瓷
- 氧化锌、硫化锌及Zn<,1-x>Mn<,x>S一维纳米结构的制备、结构与物性研究
- 该论文对ZnO、ZnS及Zn<,1-x>Mn<,x>S一维纳米结构的制备、结构与物性进行了研究,并对一维纳米结构的生长条件和机理进行了探讨.1.首次利用直接蒸发ZnS粉末的方法制备了ZnO纳米线,发现纳米线是具有纤锌矿结...
- 袁华军
- 关键词：光荧光
- 文献传递
- 化学气相沉积法中SnO_2一维纳米结构的控制生长被引量：8
- 2007年
- 以Sn和SnO为源材料,化学气相沉积法中通过控制反应物配比及载气中的氧含量等宏观实验条件,实现了SnO2一维纳米结构的控制生长,成功获得各种不同横向尺度的SnO2纳米线、纳米带以及直径连续变化的针状纳米结构.通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪对不同实验条件下所制备的样品进行形貌和晶格结构表征,认为高温生长点附近锡与氧的相对含量是控制SnO2一维纳米结构生长的关键因素;并在此基础上对SnO2一维纳米结构的生长机理进行了深入的讨论.
- 曾春来唐东升刘星辉海阔羊亿袁华军解思深
- 关键词：二氧化锡纳米线
