廉鹏
- 作品数：53 被引量：111H指数：7
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比对AlGaInP材料MOCVD外延生长的影响被引量：1
- 2007年
- 用MOCVD系统外延生长AlGaInP材料时往往要通入过量的PH3来获得足够大的Ⅴ/Ⅲ族气体源流量比,以便得到高质量的晶体结构。分别采用1 000 ml/min和400 ml/min的PH3流量(对应的Ⅴ/Ⅲ比分别为723和289),利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)系统生长了AlGaInP材料,并使用MOCVD在位监测(in-situ)软件、X射线双晶衍射仪以及光荧光测试系统等对样品进行了测量分析。发现Ⅴ/Ⅲ比不但会影响AlGaInP材料的生长速度,对外延材料与衬底GaAs的晶格失配度和材料的光学特性也有影响。
- 林委之李建军于晓东邓军廉鹏韩军邢艳辉沈光地
- 关键词：红光LED金属有机物化学气相沉积
- 量子阱半导体激光器P-I特性曲线扭折的研究被引量：7
- 2002年
- 小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后 ,其 P- I特性曲线可能偏离理想的线性区 ,出现扭折现象 ,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计 ,采用较窄的有源区 ,在 MOCVD结构生长中用碳作 P型掺杂 ,制造出来的未镀膜激光器在 10 0 m A注入电流下输出光功率 5 0 m W未出现 P- I特性的扭折。
- 邹德恕廉鹏徐晨崔碧峰杜金玉张丽刘莹李建军沈光地
- 关键词：半导体激光器阈值电流
- 应变GaInNAs/GaAs量子阱光增益特性研究
- 2005年
- 采用近似方法对GaInNAs材料的能带结构进行了分析,并计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱能级,在此基础上进一步计算了应变GaInNAs/GaAs量子阱的材料光增益谱。对计算结果的分析表明,应变GaInNAs/GaAs量子阱材料是一种可以应用于1300nm波段的新型长波长半导体光电子材料。
- 俞波韩军李建军盖红星牛南辉邓军邢艳辉廉鹏沈光地
- 关键词：应变量子阱光增益GAINNAS
- Al<,x>Ga<,1-x>As选择性湿法氧化技术的研究
- 详细研究了温度和Al组分与Al<,x>Ga<,1-x>As横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受Al<,x>Ga<,1-x>As材料与水汽反应速率限制的过程....
- 黄静郭霞渠红伟廉鹏董立闽朱文军杜金玉邹德恕沈光地
- 关键词：VCSEL垂直腔面发射激光器
- 文献传递
- 新型隧道带间级联双波长半导体激光器被引量：4
- 2003年
- 提出了通过隧道带间级联实现半导体激光器有多个激射波长的新型物理思想 ,并以GaAs为隧道结 ,InGaAs应变量子阱为有源区 ,利用金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)生长了含有两个有源区的双波长半导体激光器。制备了 90 μm条宽的脊型波导器件结构 ,测试得到了能同时激射 95 1nm和 986nm两个波长的双波长半导体激光器 ,腔面未镀膜时的斜率效率达到了 1 12W A ,垂直远场为基模 ,水平方向发散角为 10° ,垂直方向发散角为 36°。
- 李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕
- 关键词：激光技术半导体激光器多波长金属有机物化学气相沉积
- 大光腔小垂直发散角InGaAs/GaAs/AlGaAs半导体激光器被引量：9
- 2004年
- 提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器 ,近场光斑宽度达到 1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级 ,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题 .采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的AlGaAs隧道结、GaAs InGaAs应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构 ,并制备出器件 ,其垂直发散角为 2 0°,阈值电流密度为 2 77A cm2 ,斜率效率在未镀膜时达到 0 80W A .
- 崔碧峰李建军邹德恕廉鹏韩金茹王东凤杜金玉刘莹赵慧敏沈光地
- 关键词：半导体激光器大光腔隧道再生发散角砷化镓
- 隧道再生大功率半导体激光器模式特性分析被引量：1
- 2004年
- 利用有效折射率法计算了隧道再生双有源区大功率半导体激光器的工作模式,并对计算得到的激射模式的近场、远场与实验结果进行比较,得到激射模式为一阶模,二者十分吻合,这有助于进一步优化设计波导结构。
- 鲁鹏程李建军邓军廉鹏刘莹崔碧峰沈光地
- 关键词：半导体激光器有效折射率法隧道再生波导结构
- 隧道再生耦合多有源区大功率980nm半导体激光器及新型量子阱红外探测器研制
- 980nm大功率半导体激光器和8-14μm中远红外探测器都是在国际上倍受重视,并着力发展的重要半导体光电子器件.它们在通信、军事和医疗以及其它领域都有广阔的应用前景和巨大的社会、经济效益.该文针对沈光地教授提出的隧道再生...
- 廉鹏
- 关键词：半导体激光器红外探测器耦合波导碳掺杂
- 文献传递
- Al_(0.98)Ga_(0.02)As的湿法氧化规律被引量：7
- 2005年
- 为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小 ,对Al0 .98Ga0 .0 2 As的湿法氧化规律进行了分析研究 .首先运用一维Deal Grove模型分析了Al0 .98Ga0 .0 2 As条形台面湿法氧化的一般规律 ,并在此基础上进一步分析推导 ,加以适当的简化 ,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型 ,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合 .同时 ,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象 .运用这些规律 ,将氧化长度的精度控制在 0 5 μm内 。
- 董立闽郭霞渠红伟杜金玉邹德恕廉鹏邓军徐遵图沈光地
- 关键词：VCSELALGAAS湿法氧化
- 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究
- 1998年
- 用分子束外延生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ双量子阱激光器结构样品，并对不同温度快速热退火导致量子阱组分无序即阱和垒中三族元素的扩散过程进行了实验和理论研究．用光荧光技术测量退火样品的ｎ＝１量子阱能级跃迁峰值位置，结果表明退火前后样品量子阱能级位置发生蓝移，蓝移量随温度的提高而增大．对退火过程中ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱中三族元素的扩散过程进行了理论分析，并与实验结果相比较，获得了不同退火温度下铝原子的扩散系数和扩散过程的激活能．９５０℃，３０ｓ退火条件下，铝原子的扩散系数为６６×１０－１６ｃｍ２／ｓ，扩散过程的激活能为５０ｅＶ．
- 徐遵图徐俊英杨国文杨国文殷涛张敬明廉鹏陈良惠廉鹏
- 关键词：半导体激光器双量子阱砷化镓
