姜磊
- 作品数：8 被引量：11H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 具有90nm调谐范围的1.3μm Si基MOEMS可调谐光滤波器(英文)被引量：1
- 2003年
- 利用表面微机械技术 ,成功制作了 1.3μm Si基 MOEMS可调谐光滤波器 .原型器件在 5 0 V的调谐电压下 ,调谐范围为 90 nm.该技术可以用于制作 1.3μm Si基可调谐光探测器 .
- 左玉华黄昌俊成步文蔡晓毛容伟李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华朱家廉王良臣余金中王启明
- 关键词：MOEMS可调谐滤波器
- 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
- 一种共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法，在半绝缘GaAs衬底上依次用分子束外延设备生长高电子迁移率晶体管和共振遂穿二极管结构；在外延片的表面用光刻技术和湿法腐蚀形成共振遂穿二极管的台面；用光刻技术和湿法腐蚀实...
- 黄应龙杨富华王良臣王建林伊小燕马龙白云霞姜磊
- 文献传递
- 氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器及其制备方法
- 提供一种氮化硅波导谐振腔级联锗椭圆探测器，包括：衬底，介质层，探测器层，覆盖层，电极单元。介质层形成于衬底上；探测器层形成于介质层上并被覆盖层包覆，探测器层包括：氮化硅波导，用于低损耗传输光信号；椭圆谐振腔，设置于氮化硅...
- 李智勇殷煜翔于航涂东河于治国关欢田立飞姜磊
- 155μm非晶硅热光F-P腔可调谐滤波器(英文)
- 2003年
- 介绍了一种Si基热光Fabry Perot (F P)腔可调谐滤波器 .F P腔由电子束蒸发的非晶硅构成 .利用非晶硅的热光效应 ,通过对Si腔加热 ,改变F P腔的折射率 ,从而引起透射峰位的红移 .该原型器件调谐范围为 1 2nm ,透射峰的FWHM (峰值半高宽 )为 9nm ,加热效率约为 0 1K/mW .精确控制DBR(分布式Bragg反射镜 )生长获得高反射率镜面是减小带宽的有效途径 ;通过改进加热器所处位置及增强散热能力 。
- 左玉华蔡晓毛容伟黄昌俊成步文李传波罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
- 关键词：热光效应FABRY-PEROT可调谐滤波器非晶硅
- 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
- 一种对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液，其特征在于，包括：柠檬酸溶液和双氧水，该柠檬酸溶液和双氧水的体积比为4∶1。本腐蚀液不仅具有很高的选择性腐蚀比，而且与砷化镓集成工艺兼容，溶液无毒，工艺简单等特点。
- 黄应龙杨富华王良臣姜磊白云霞王莉
- 文献传递
- 一种电光调制器
- 本公开提供了一种电光调制器，包括调制器主体和均衡电路；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第一N型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一P型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于...
- 李智勇于航殷煜翔涂东河关欢于治国姜磊
- 镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响被引量：10
- 2003年
- 用传输矩阵方法 ,在简化的光学模型基础上 ,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(DistributedBraggReflector)的生长精度及镜面起伏对 1.5 5 μmSi基MEMS (Micro Electro Mechanical System)可调谐光滤波器透射谱的影响 计算表明 :DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化 ,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因 ,它使得FWHM增大 ,透射峰强度下降 理论计算结果能较好地解释实验现像 在此基础上 ,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因 。
- 左玉华毛容伟黄昌俊蔡晓李传波成步文罗丽萍高俊华白云霞姜磊马朝华王良臣余金中王启明
- 关键词：光学模型可调谐光滤波器透射谱DBR密集波分复用系统
- 一种复合型光波导端面耦合器
- 本发明公开一种复合型光波导端面耦合器，包括：硅衬底(1)、埋氧层(2)、第一波导层、第二波导层和二氧化硅包层(3)；所述第一波导层包括条形过渡波导(5)和脊形波导(6)；所述条形过渡波导(5)生长在所述埋氧层(2)的中线...
- 李智勇殷煜翔于航涂东河于治国关欢田立飞姜磊
