唐世军
- 作品数：12 被引量：18H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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- X波段400 W GaN内匹配功率管被引量：5
- 2018年
- 报道了X波段脉冲输出功率超过400 W的GaN HEMT内匹配功率管。该器件内部包含了4只14.4mm栅宽GaN HEMT管芯。输入输出同时采用了一级L-C阻抗变换和两级微带阻抗变换器。该器件在9.0~10.0GHz频带内,在漏极电压为50V、脉冲宽度100μs、占空比10%测试条件下,输出功率达到了400 W以上,功率增益大于9dB,附加效率高于37.7%,带内峰值输出功率450 W。
- 唐世军顾黎明陈韬彭劲松
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管X波段
- C波段400W GaN内匹配功率管研制被引量：5
- 2018年
- 基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
- 徐永刚顾黎明汤茗凯唐世军陈晓青刘柱陈韬
- 关键词：内匹配功率放大器C波段
- 高功率GaN微波功率放大模块及其应用
- 采用GaN微波功率HEMT 0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 V工作电压下,饱和输出功率达到了14 W,此时功率增...
- 唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块
- 文献传递
- X波段200W GaN内匹配功率管
- 摘要基于Al Ga N/Ga N HEMT工艺制作了大栅宽Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微...
- 唐世军顾黎明陈韬陈世昌
- 关键词：内匹配功率放大器波段
- 文献传递
- 通信用宽带放大器的设计与实现
- 本文基于南京电子器件研究所的0.25μm GaN HEMT工艺平台,在陶瓷基片上利用多级阻抗变换的方法对宽带放大器的输入和输出匹配电路进行设计并实现。放大器的有源芯片为一枚12mm栅宽的GaN器件。完整的无源和有源电路烧...
- 钟世昌唐世军陈韬周书同
- 关键词：超宽带GAN放大器功率
- 8.5GHz～10GHz GaAs准单片功率放大器被引量：3
- 2007年
- 文章介绍了一种准单片形式的功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的12mm栅宽的GaAs pHEMT功率管芯,设计了准单片电路形式的匹配电路,设计所得的功率放大器在8.5GHz^10GHz频带范围内,输出功率典型值为5W,功率增益大于6dB,相对带宽大于16%,典型功率附加效率为25%,输入电压驻波比小于2.5。
- 王义李拂晓唐世军郑维彬
- 关键词：GAASPHEMT宽带功率放大器
- 高功率GaN微波功率放大模块及其应用
- 采用GaN微波功率HEMT0.4 mm和2 mm管芯,应用GaAs匹配电路实现C波段微波功率模块。该器件研制中采用两级放大电路,正负电源结构,在5.5 GHz,28 v工作电压下。饱和输出功率达到了14 W,此时功率增益...
- 唐世军徐永刚陈堂胜任春江钟世昌陈辰
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块匹配电路
- 文献传递
- S波段280W GaN内匹配功率管的设计与实现被引量：3
- 2015年
- 本文实现了一种基于自主50V工作GaN HEMT工艺的S波段内匹配功率管。以S参数和负载牵引结果进行内匹配电路设计,采取两管芯并联的方式实现大功率输出。应用微波仿真软件ADS对其进行优化,得到良好仿真结果并给出最终测试数据。在48V漏电压、1 ms周期、10%占空比测试条件下,3.1~3.4GHz频率范围内,输出功率超过54.5dBm,功率增益大于13.5dB,功率附加效率超过50%。
- 姚实唐世军任春江钱峰
- 关键词：内匹配功率放大器S波段
- 基于GaN管芯的X波段高效率连续波功率放大器
- 本文报导了一款基于0.35μm栅长氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）工艺实现的X波段连续波功率放大器,采用南京电子器件研究所研制的14.4mm GaN功率管芯进行两胞合成设计,以提取的小信号S参数和大信号负载牵...
- 奚红杰唐世军
- 关键词：X波段
- 文献传递
- 11～12 GHz单电源GaN微波功率放大模块研制被引量：1
- 2017年
- 报告了采用凹槽栅场板结构的Ga N微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8 mm和2.4 mm栅宽的管芯。采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380μm厚的Al_2O_3陶瓷基片上,匹配电容制作在180μm厚的高介电常数的陶瓷基片上。电感采用25μm直径的金丝拟合,电路结构采用单电源结构。该模块在11～12 GHz、28 V工作电压下,饱和输出功率达到了8 W,功率增益为12 d B,功率附加效率(PAE)为30%,实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。该模块是迄今为止采用单电源结构频率最高的Ga N功率模块。
- 嵇妮娅汤茗凯唐世军
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管功率放大模块
