刘海华
- 作品数：8 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金科技部基础研究重大项目前期研究专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究被引量：1
- 2007年
- 本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征。由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变。利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因。
- 段晓峰刘海华徐秋霞刘邦贵
- 关键词：应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管
- 应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究
- 2008年
- 本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布。沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的。有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层。大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好。
- 刘海华段晓峰徐秋霞
- 关键词：应变硅场效应晶体管有限元方法
- 自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究
- 由于一维纳米材料在发光等领域的巨大的应用潜力,近年来对纳米材料的研究也成为热点。ZnO 作为一种宽带隙半导体材料,其纳米结构的研究受到了广泛关注。本文对自组装 ZnO 孪晶纳米结构进行了系统的透射电镜(TEM)研究。图1...
- 张志华刘海华简基康邹凯段晓峰
- 文献传递
- 具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
- 2006年
- 深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.
- 徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧
- 关键词：压应力等效氧化层厚度CMOS
- 利用自制可加磁场样品台对链状位移型磁畴壁的原位洛伦兹电子显微术研究被引量：4
- 2011年
- 利用自制的可加磁场样品台,结合离焦洛仑兹电子显微术,原位研究了坡莫合金中的一种链状位移型磁畴壁在磁化和反磁化过程中的变化,并据此提出了相应的样品薄膜面内的磁力线分布模型。
- 刘海华车仁超王志峰段晓峰
- 关键词：磁畴坡莫合金
- 自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究
- 2006年
- 张志华刘海华简基康邹凯段晓峰
- 关键词：透射电镜自组装孪晶宽带隙半导体材料一维纳米材料TEM
- 应变硅PMOSFET沟道应变的大角度会聚束电子衍射研究及坡莫合金磁畴的原位透射电镜研究
- 本论文分两部分：
第一部分，综合运用大角度会聚束电子衍射方法，有限元模拟和动力学会聚束电子衍射模拟研究了应变硅PMOSFET沟道中的应变分布，并讨论了沟道中巨大压应变产生的原因，给出了实验和理论模型解释，主要内容如...
- 刘海华
- 关键词：原位透射电镜
- 海藻酸锌纤维热降解法制备氧化锌纳米结构被引量：3
- 2008年
- 采用天然高分子海藻酸钠为原料,以氯化锌水溶液为凝固浴,通过湿法纺丝技术成功制备了海藻酸锌(Alg-Zn)纤维.通过在空气中不同温度下对所得海藻酸锌纤维进行热处理,得到了多种ZnO纳米结构.利用热失重分析(TG)、X射线衍射(XRD)、电子能量损失谱(EELS)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等手段对产物的组成、形貌和微观结构进行了详细表征.结果表明,焙烧温度和时间对所得ZnO纳米结构的尺寸和形貌具有重要影响;800℃下热处理24h以上可以得到直径约为120nm的ZnO纳米棒.通过仔细考察不同热处理时间得到的ZnO纳米结构,提出了在焙烧条件下ZnO纳米棒的生长机理.
- 孔庆山吴兴隆郭玉国王乙潜夏延致于建刘海华段晓峰
- 关键词：氧化锌纳米棒热降解
