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简基康

作品数:162 被引量:64H指数:5
供职机构:广东工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金博士科研启动基金新疆维吾尔自治区自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 101篇专利
  • 39篇期刊文章
  • 20篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 37篇理学
  • 33篇一般工业技术
  • 15篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 91篇纳米
  • 30篇纳米线
  • 22篇半导体
  • 20篇溶剂
  • 20篇溶剂热
  • 17篇纳米片
  • 16篇纳米带
  • 15篇气相沉积
  • 14篇气相
  • 14篇催化
  • 13篇氮化
  • 13篇化学气相
  • 12篇电阻
  • 12篇电阻加热
  • 12篇气相沉积法
  • 12篇衬底
  • 11篇形貌
  • 11篇溶剂热反应
  • 11篇热反应
  • 10篇纳米棒

机构

  • 98篇新疆大学
  • 48篇广东工业大学
  • 25篇中国科学院
  • 3篇北京航空航天...
  • 2篇中国科学院新...
  • 1篇喀什师范学院
  • 1篇西安交通大学
  • 1篇石河子大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇松山湖材料实...

作者

  • 162篇简基康
  • 66篇吴荣
  • 61篇孙言飞
  • 40篇李锦
  • 33篇郑毓峰
  • 15篇陈小龙
  • 11篇王刚
  • 10篇宋波
  • 10篇许燕萍
  • 9篇杨林钰
  • 9篇郭靓
  • 7篇杨文龙
  • 6篇马忠权
  • 6篇姜楠楠
  • 6篇刘骄
  • 5篇尚飞
  • 4篇任银拴
  • 4篇李冬来
  • 4篇马燕
  • 4篇刘海涛

传媒

  • 17篇新疆大学学报...
  • 6篇人工晶体学报
  • 3篇新疆大学学报...
  • 2篇物理实验
  • 2篇物理学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇物理化学学报
  • 1篇大学物理
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇陕西科技大学...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇2000年中...
  • 1篇第四届西部十...
  • 1篇中国晶体学会...

年份

  • 5篇2024
  • 3篇2023
  • 7篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 8篇2016
  • 13篇2015
  • 8篇2014
  • 12篇2013
  • 11篇2012
  • 17篇2011
  • 12篇2010
  • 7篇2009
  • 12篇2008
  • 1篇2007
  • 12篇2006
  • 2篇2005
162 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdTe纳米棒的方法
本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂,以CdTe粉末为原料,在真空度为2×10<Sup>-2</Sup>-2×10<Sup>-3</Sup>Pa...
简基康尚飞孙言飞吴荣郑毓峰
文献传递
不同形貌的氧化铟纳米结构:合成、气敏和电化学性质
纳米结构的形貌对其物性有重要影响,通过形貌可控的生长实现对纳米结构物性的调控是纳米科技的关键研究领域。本文采用两步法,通过在氨气和氧气环境中热处理,从氧化铟颗粒出发,合成获得了包括纳米颗粒、纳米线、纳米管和纳米片等具有不...
李峰锐简基康
一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法
本发明公开了一种制备反钙钛矿型锰基氮化物的方法,该方法包括以下步骤:将纯度大于99%的碱金属氮化物或碱土金属氮化物,锰粉及氧化物按一定比例混合均匀后放入反应容器中,将该反应容器置于充有高纯度氮气的密闭环境中,将反应容器的...
陈小龙宋波简基康王刚许燕萍
文献传递
一种生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法
本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.09的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻...
李锦马燕简基康孙言飞吴荣杨林钰
一种催化剂辅助真空热蒸发生长CdS纳米棒的方法
本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法,是通过以下工艺过程实现的:将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1:0.01-1:0.35的比例均匀混合作为原料,置于钼片制成的电阻加热舟...
简基康邹华吴荣孙言飞郑毓峰
文献传递
一种生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料及其制备方法
本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料及其制备方法。该生长有二铋三镍二硒的柔性纳米材料通过将硝酸铋和二氧化硒按照摩尔量比1:(1.3~1.7)置于混合溶液中,与加入的金属镍柔性材料进行...
简基康杜炳生王盛儒雷仁博
多孔硅衬底上无催化剂制备GaN纳米线
2010年
采用化学气相沉积(CVD)法,在1050℃的温度下,以多孔硅(PS)为衬底,成功地制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能量色散谱(EDS)和光致发光(PL)谱对样品的物相、形貌、成分及发光性质进行了分析.研究结果表明,产物为六方纤锌矿结构的GaN纳米线,纳米线的直径范围为30nm到100nm,长度达几十微米,位于376.2nm处有一带边发射峰,在435.8nm处有一个因缺陷引起的弱发光峰.最后简单讨论了制备GaN纳米线的相关化学反应和生长机制.
杨玮吕小毅吴荣郑毓峰孙言飞简基康
关键词:化学气相沉积法GAN纳米线多孔硅
一种纳米柱阵列异质结及其制备方法
本发明涉及纳米结构技术领域,尤其涉及一种纳米柱阵列异质结及其制备方法。本发明提供了一种纳米柱阵列异质结的制备方法,包括:首先打开Bi<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>蒸发源于衬底上蒸镀Bi<Sub>2<...
简基康杨文龙吴晶杜炳生
文献传递
溶剂热法制备BiOCl单晶纳米片被引量:4
2011年
采用溶剂热方法,在去离子水和无水乙醇的混合溶剂中通过添加适量表面活性剂(CTAB),在200℃下反应24 h,成功地制备了BiOCl单晶纳米片.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)对产物进行了表征,结果表明获得了四方结构的BiOCl单晶纳米片,横向尺寸在300-3 000nm之间,厚度约为几纳米.
宋春燕孙言飞简基康
关键词:溶剂热合成纳米片
一种制备硒化锡单晶纳米带的方法
本发明涉及一种制备硒化锡单晶纳米带的方法,是一种直接通过溶剂热制备硒化锡单晶纳米带的方法,属于半导体纳米材料技术领域;本方法是通过以下工艺过程实现的:在高压反应釜里,按摩尔比为1:1加入一定量的硒(Se)粉末和SnCl<...
简基康郭靓曹丙垒雷仁博
文献传递
共17页<12345678910>
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