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华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室

作品数:5 被引量:13H指数:2
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相关领域:理学电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇电池
  • 2篇电子结构
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇子结构
  • 2篇阻抗谱
  • 2篇密度泛函
  • 2篇密度泛函理论
  • 2篇聚合物太阳能...
  • 2篇缓冲层
  • 2篇交流阻抗
  • 2篇交流阻抗谱
  • 2篇泛函
  • 2篇泛函理论
  • 2篇AL
  • 2篇掺杂
  • 1篇导电
  • 1篇第一性原理
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇多巴

机构

  • 5篇华南师范大学

作者

  • 3篇郑树文
  • 3篇范广涵
  • 2篇皮辉
  • 1篇张涛
  • 1篇赵灵智
  • 1篇何苗

传媒

  • 4篇物理学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
β-Ga_2O_3掺Al的电子结构与能带特性研究被引量:3
2014年
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,AlxGa2-xO3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态共同决定,其弯曲系数分别为0.452eV(直接)和0.373eV(间接)。当增大Al的掺杂量,AlxGa2-xO3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
郑树文范广涵皮辉
关键词:第一性原理AL掺杂电子结构
基于Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究
2018年
采用旋涂Al_2O_3前驱体溶液和低温退火的方法在活性层上形成Al_2O_3薄膜,并与MoO_3结合形成Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层,制备了以聚3-己基噻吩:[6.6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(P3HT:PC_(61)BM)为活性层的倒置聚合物太阳能电池,并通过改变Al_2O_3前驱体溶液的浓度来分析复合阳极缓冲层对器件性能的影响.结果发现,Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层能有效调控倒置聚合物太阳能电池的光电性能及其稳定性.当Al_2O_3前驱体溶液的浓度为0.15%时,器件光伏性能达到最优值,与MoO_3单缓冲层的器件相比,光电转换效率(PCE)由3.85%提高到4.64%;经过80天老化测试后,具有复合阳极缓冲层的器件PCE保留为初始值的76%,而单缓冲层的器件PCE已经下降到50%以下.器件性能得到改善的原因是Al_2O_3/MoO_3复合阳极缓冲层增强了倒置太阳能电池器件阳极对空穴的收集能力,同时钝化了器件活性层,从而提升了太阳能电池器件的光伏性能及其稳定性.
李琦章勇
关键词:交流阻抗谱
Ga掺杂对纤锌矿TM0.125Zn0.875O(TM=Be,Mg)电子结构和光学能隙的影响被引量:1
2014年
利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法,对纤锌矿T M_(0.125)Zn_(0.875)O(TM=Be,Mg)合金和Ga掺杂T M_(0.125)Zn_(0.875)O的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析,结果表明:T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺入Ga容易实现并且结构更稳定,T M_(0.125)Zn_(0.875)O合金掺Ga能获得很好的n型材料改性,能隙由导带底Ga 4s态和价带顶O 2p态决定,由于Bllrstein-Moss移动和多体效应,Ga掺杂后的T M_(0.125)Zn_(0.875)O光学能隙变大,这与实验结果相一致,T M_(0.125)Zn_(0.875)O掺Ga材料可作透明导电薄膜应用到紫外和深紫外光电子器件中。
郑树文范广涵张涛皮辉俆开放
关键词:密度泛函理论
基于聚多巴胺/氧化锌复合阴极缓冲层的倒置聚合物太阳能电池的研究被引量:1
2017年
利用多巴胺氧化自聚合形成聚多巴胺(PDA)与ZnO结合形成PDA/ZnO复合阴极缓冲层,制备了以P3HT:PC_(61)BM为活性层的倒置结构聚合物太阳能电池,通过改变PDA的自聚合时间来分析复合阴极缓冲层对器件性能的影响.实验发现,随着PDA的自聚合时间的增加,聚合物太阳能电池的光电转换效率先增大后减小,当自聚合时间为10 min时,相应器件光伏性能达到最优值,其开路电压V_(OC)为0.66 V,短路电流密度J_(SC)为9.70 mA/cm^2,填充因子FF为68.06%,光电转换效率PCE为4.35%.器件性能改善的原因是由于PDA/ZnO复合阴极缓冲层减小了ZnO与ITO之间的接触电阻,同时PDA中存在大量的氨基有利于倒置太阳能电池阴极对电子的收集.
李琦章勇
关键词:交流阻抗谱
W掺杂对β-Ga_2O_3导电性能影响的理论研究被引量:8
2014年
采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低.当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强.当增加W的掺杂量,Ga2(1-x)W2x O3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致.
郑树文范广涵何苗赵灵智
关键词:电导率密度泛函理论
共1页<1>
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