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硅锗薄膜能带结构及其发光: <正>近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,考虑到大量的实验制备通常形成的是纳米薄膜,本文以硅和锗的纳米薄膜为研究对象,通过第一性原理计算和实验表征两方面展现硅锗薄膜的...; 吴学科黄伟其董泰阁王刚刘世荣秦朝介; 文献传递

硅量子点表面掺氮的电子结构计算: 2014年; 本文在量子点表面掺入氮原子,用第一性原理方法模拟计算硅量子点(111)面上的电子结构。本文主要解决两个问题:(1)比较研究六种不同大小的量子点结构掺杂和未掺杂氮原子情况下的带隙宽度和电子态密度变化;(2)分别用广义梯度近似(GGA)和局域密度近似(LDA)两种不同的算法计算六种量子点结构的带隙宽度和态密度,并比较GGA和LDA算法的特点。计算结果发现:带隙随着量子点的尺度变小而展宽,这符合量子受限规律;在量子点表面掺杂氮原子会减小带隙宽度;重要的是发现LDA算法对局域态更加敏感。; 尹君刘仁举黄伟其; 关键词：电子态密度局域密度近似广义梯度近似

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贵州大学理学院纳米光子物理研究所