上海大学仪器分析与研究中心
- 作品数：3 被引量：24H指数：3
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- 相关机构：西北工业大学材料学院超高温结构复合材料国防科技重点实验室龙岩学院化学与材料学院西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：理学航空宇航科学技术一般工业技术机械工程更多>>
- C／SiC-SiB4复合材料的制备及氧化行为被引量：3
- 2008年
- 在多孔C／SiC中渗入SiB4微粉后，采用先驱体浸渍裂解（PIP）结合化学气相渗透（CVI）法进行致密化制备C／SiC—SiB4复合材料。利用XRD、EDS、SEM分析了材料的组分及微结构。研究了材料在500～1000℃静态空气的氧化行为，并与致密C／SiC复合材料的氧化行为进行了比较。结果表明，SiB4主要渗入到纤维柬间，它与随后PIP及CVI法引入的SiC较好地结合在一起。在氧化过程中，SiB。起自愈合作用，它能减缓碳纤维和界面的氧化。在600～900℃氧化10h后，C／SiC—SiB4的失重率均比致密C／SiC小，抗弯强度没有明显降低，且均比致密C／SiC高。
- 童长青成来飞殷小玮刘永胜张立同鲁波
- 关键词：复合材料PIPCVI
- CdS纳米晶的稳定化处理及介质极性对荧光光谱的影响被引量：3
- 2006年
- 用硫脲、聚乙烯吡咯烷酮、L-半胱氨酸水溶液对水热法合成的硫化镉纳米晶进行稳定化处理,发现L-半胱氨酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能有效地稳定硫化镉纳米晶,荧光发射强度比处理前增强了五十倍以上。以氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸为萃取(或处理)剂,对水热法合成的水溶性CdS半导体纳米晶进行处理,经过荧光光谱分析,发现介质水、氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸会对CdS纳米晶的最大荧光激发峰与发射峰的位置产生不同影响,极性大的水分子使得荧光峰蓝移,极性小的氯仿、氧化三(正)辛基膦(TOPO)氯仿溶液以及3-巯基丙酸使得荧光峰红移,最大位移为31nm左右。
- 许荣辉汪勇先贾广强徐万帮尹端沚
- 关键词：CDS纳米晶荧光增强蓝移
- 闪锌矿结构CdS纳米晶的制备被引量：18
- 2007年
- 以3-巯基丙酸为硫源,采用水热法制备了尺寸小于10 nm、具有强光致荧光的闪锌矿型立方CdS半导体纳米晶.用EDS能谱、透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和XRD对晶体的化学成分、大小及结构进行了表征,并分析了影响纳米晶尺寸的因素,研究了闪锌矿型硫化镉纳米晶的荧光激发与发射谱.
- 许荣辉汪勇先贾广强徐万帮尹端沚
- 关键词：纳米晶闪锌矿结构水热合成法光致荧光
