上海海事大学电磁兼容与静电研究室
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
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- 雷云静电场的模型化研究
- 雷云是一个复杂的放电结构,其电场分布和很多因素有关.本文依据电磁场理论,从基本的静电场公式入手,结合大气电学知识,建立了雷云预雷击的静电场模型.该模型采用三层平面布置的带电圆盘来模拟雷云空间,雷云静电场的计算采用镜像法....
- 李学文孙可平于格非
- 关键词：镜像法
- 文献传递
- IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究
- 在IC 器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压加于氧化层上时的介质击穿.发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由0.010μm 减少至0....
- 孙可平苗凤娟
- 关键词：静电放电介质击穿
- 文献传递
- 深亚微米CMOS集成电路ESD保护技术研究综述
- 随着 CMOS 技术进入深亚微米领域,CMOS 器件薄栅氧化层厚度、PN 结更浅及器件沟道更短,这就导致 CMOS 集成电路容易遭受 ESD 损害（只需较低的能量和电压就可以损坏 CMOS 器件）。因此,CMOS 器件的...
- 李学文孙可平李学军
- 关键词：集成电路
- 文献传递
- 芯片氧化层静电放电击穿模型研究被引量：3
- 2005年
- 提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型．并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚 度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0．01μm、面积为 9．09×10-6 cm2氧化层,其击穿电压约为208 V;若面积不变,厚度缩小为原来的1／10,则其击穿电压降为160 V; 若面积也等比例缩小,则击穿电压降为20 V,其结果是耐ESD的能力大幅度降低．
- 孙可平李学文
- 关键词：介质击穿氧化层
- IC器件在HBM ESD脉冲电压下的介质击穿实验研究被引量：1
- 2005年
- 在IC器件氧化绝缘层介质击穿物理模型的基础上,讨论了人体带电放电模型(HBM ESD)中的波动电压 加于氧化层上时的介质击穿．发现了氧化层上的俘获空穴密度临界值随薄膜厚度的变化十分敏感,当厚度由 0．010 μm减少至0．003 μm时,俘获空穴密度临界值由0．100 C／cm2减少至0．002 C／cm2．相应地,IC器件抗ESD 的性能也急剧下降．
- 孙可平苗凤娟
- 关键词：静电放电介质击穿
- 轻质油品管道输送荷电机理研究
- 轻质油品在管道输送时,产生危险的静电。不同油流电化模型被提出,用于研究管道油流稳态的电荷密度及流化电流。本文提出管道油流稳态空间电荷密度计算的新物理模型,利用该模型理论计算油流稳态电荷密度分布,研究有限长管道油流空间电荷...
- 李学文孙可平
- 关键词：电荷密度
- 文献传递
- 小波消噪在介质损耗因数检测中的应用
- 在分析高压电气设备介质损耗因数在线测量中的谐波及干扰信号等误差因素的基础上,提出基于小波阈值消噪算法提取基波信号,运用复三角函数和Hilbert变换来计算介质损耗因数（tanδ）的新方法.通过仿真计算,引入小波阈值滤波前...
- 李学文孙可平
- 关键词：介质损耗因数HILBERT变换
- 文献传递
- 雷云静电场的模型化研究
- 雷云是一个复杂的放电结构,其电场分布和很多因素有关。本文依据电磁场理论,从基本的静电场公式入手,结合大气电学知识,建立了雷云预雷击的静电场模型。该模型采用三层平面布置的带电圆盘来模拟雷云空间,雷云静电场的计算采用镜像法。...
- 李学文孙可平于格非
- 关键词：镜像法
- 文献传递
- 芯片氧化层静电放电击穿模型研究
- 提出了芯片门电路硅氧化层静电放电介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,讨论了介质击穿电压与ESD(静电放电)敏感度的尺寸效应,对于厚度为0.01μm、面积为9.09×10cm氧化层,其击穿电...
- 孙可平李学文
- 关键词：介质击穿氧化层
- 文献传递
- 深亚微米CMOS集成电路ESD保护技术研究综述
- 随着CMOS技术进入深亚微米领域,CMOS器件薄栅氧化层厚度、PN结更浅及器件沟道更短,这就导致CMOS集成电路容易遭受ESD损害(只需较低的能量和电压就可以损坏CMOS器件).因此,CMOS器件的ESD保护变得既重要,...
- 李学文孙可平李学军
- 关键词：ESD保护集成电路
- 文献传递
