湖北大学材料科学与工程学院铁电压电材料与器件省级重点实验室
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
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- 发文基金：国家自然科学基金湖北省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。
- 蒋红霞周桃生彭绯尚勋忠余祖高
- 关键词：压电陶瓷压电介电性能
- 掺Ho^(3+)钛酸锶钡薄膜的结构及发光性能研究
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol%Ho^(3+)掺杂的Ba_(0.65)Sr_(0.35)TiO_3薄膜,研究了薄膜的表面AFM、XRD谱、光学透射谱和光致发光谱.结果表明:Ho^(3+)浓度从1mol%增加到8mol%时,BST薄膜的晶格常数先增大后减小;位于615、650和750nm处的发光,分别对应~5F_3→~5F_7、~5F_5→~5F_8和~5S_2、~5F_4→~5F_7的跃迁,发光谱和~5S_2,~5F_4的寿命谱分析表明,在Ho^(3+)浓度为3mol%时三个发光带强度均最大.并分析了Ho^(3+)与Ba^(2+)/Sr^(2+)/Ti^(4+)的离子位置替代机制及交叉弛豫机制.
- 潘瑞琨王军董秀梅章天金胡兰江娟
- 关键词：BST薄膜稀土掺杂光致发光
- Pr^(3+)离子含量对GeS_2-Ga_2S_3-KBr玻璃性能的影响
- 2008年
- 用熔融淬冷方法制备Pr3+掺杂的硫卤玻璃(0.64GeS2-0.16Ga2S3-0.2KBr)1-x-(PrCl3)x,x=0,0.001,0.003,0.005.对玻璃进行X射线衍射实验分析、差热分析、红外透射光谱、紫外透射光谱的测试,结果分析表明:Pr3+掺杂到0.5 mol%,都形成良好的玻璃态;掺杂后玻璃的稳定性降低,玻璃的红外透过率增大,截止边不变;玻璃的紫外截止边向短波方向移动;玻璃在588 nm处存在吸收峰,对应着Pr3+的3H4→1D2跃迁.
- 董秀梅潘瑞琨胡兰严小黒张柏顺章天金
- 关键词：硫卤玻璃稀土掺杂
