天津大学理学院现代材料物理研究所
- 作品数：57 被引量：62H指数：4
- 相关作者：姜恩永杜洪明刘新军刘兆庆张兴华更多>>
- 相关机构：中国民航大学理学院清华大学材料科学与工程系北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程金属学及工艺更多>>
- 反应溅射外延Fe4N薄膜的各向异性磁电阻效应
- 对于γ’-Fe4N材料的研究已有八十多年的历史,最早研究γ’-Fe4N是用来作为生产氨气的催化剂及钢铁表面处理。由于具有较简单的化学成份和晶体结构、优良的铁磁性、抗腐蚀、耐磨损、金属导电性、高居里温度、化学稳定性高、热稳...
- 米文博封秀平白海力
- 文献传递
- 快离子导体AgxTiS2中Ag^＋离子-空位的二维基态结构与能量性质研究被引量：9
- 2008年
- 根据Ag+离子-空位的二维有序结构建立了三维晶胞模型.采用局域密度近似下的平面波赝势方法,对有序AgxTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系列进行了几何结构优化和总能量计算,并与LixTiS2系列进行了对比研究.有序AgxTiS2系统的晶格参量增量Δa0和Δc0随离子浓度单调增加,与实验结果符合得较好.有序AgxTiS2和LixTiS2系统的总能量均随插层离子浓度增加线性下降,且前者下降较快.有序AgxTiS2(x=0,1/4,1/3,1/2,2/3,3/4,1)系统的形成能均小于零,表明其基态性质.具有3a0×3a0超结构的Ag1/3TiS2系统的形成能最低.能量性质的对比显示,有序AgxTiS2系统的形成能较低,有序-无序相变温度较高,离子扩散活化能较高.根据计算结果对有关实验给出了合理解释.
- 宋庆功姜恩永
- 关键词：第一性原理计算快离子导体
- 射频磁控溅射高饱和磁化强度Fe-N薄膜被引量：1
- 2005年
- 用射频磁控溅射法分别在具有20nmFe衬底的Si(100)和NaCl单晶基片上成功地制备出具有高饱和磁化强度的Fe-N薄膜.用X射线衍射仪、透射电子显微镜和振动样品磁强计研究了氮气分压和基片温度对Fe-N薄膜相结构和磁性的影响.结果表明,当氮气分压为2.66×10-2Pa,基片温度为100~150℃时,最有利于α-″Fe16N2相的形成.在此条件下制备的Fe-N薄膜的饱和磁化强度高达2.735T,超过纯Fe的饱和磁化强度值.
- 姜恩永陈逸飞李志青白海力
- 关键词：FE-N薄膜饱和磁化强度射频磁控溅射
- 拯救地球的新型产业技术—环境协调型材料(Ecomaterial)提出的根据
- 本文重点论述了大约在3万3千年前出现“新人类”之后,随着人类文明的发展及人类和自然环境之间生态关系紧密程度的提高,由于人类单纯追求自身生活质量的提高,使地球生态环境遭到了破坏,加之3500年前地球出现了3oC温度的下降,...
- 姜恩永
- Fe掺杂多晶TiO2薄膜的磁学和光学性质
- 近年来,稀磁半导体是材料科学和凝聚态物理的研究热点之一。TiO是宽禁带(E～3．2 eV)半导体,具有高折射率、良好的热稳定性和在可见光波段和红外波段有良好的透过率等优点,是理想的稀磁半导体基体材料。
- 蒋玉兵张强米文博姜恩永白海力
- 文献传递
- 对向靶直流反应溅射制备多晶TiO2薄膜
- 在溅射气压为0.51、1.27,1.86和3.60 Pa,功率为350W,基底不加热的条件下,用对向靶直流溅射系统成功制备了多晶二氧化钛薄膜。在溅射气压为0.51Pa时,用热电偶测量基底表面的温度,发现基底温度从室温迅速...
- 李国科申俊杰郭巧杭白海力
- 文献传递
- 沉积气压对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量：1
- 2008年
- 利用等离子体增强脉冲激光沉积系统,在n型Si(100)基底上沉积了不同沉积气压下的纳米BN薄膜,利用红外光谱(FTIR)对BN薄膜进行了表征。通过原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌。在超高真空(<5.0×10-7Pa)情况下测量了薄膜的场致发射特性。实验结果表明,沉积气压对BN薄膜的场发射特性影响很大。BN薄膜的阈值电场随着沉积气压的升高而升高,发射极限电流随着沉积气压的升高而较小,但耐压特性提高。沉积气压为2Pa时沉积的BN薄膜的场发射的阈值电场最低,为12V/μm,当电场升高到27V/μm时,场发射电流密度为140.6μA/cm2;当沉积气压升高到5Pa时,阈值电场升高为26V/μm,当电场升高到59V/μm时,发射电流密度为187.5μA/cm2;沉积气压升高到15Pa时的样品的阈值电场已经高达51V/μm。所有BN薄膜的F-N曲线都符合F-N理论,表明电子发射是通过隧穿表面势垒完成的。
- 李卫青
- 关键词：射频等离子体氮化硼薄膜场发射特性
- 反应溅射外延Fe3O4薄膜的各向异性磁电阻
- 近年来FeO由于其半金属特性而备受关注。本文采用对向靶反应溅射法在MgO基底上制备了外延FeO薄膜,并对其磁各向异性和各向异性磁电阻进行了研究。X射线衍射和断面高分辨透射电镜的结果均表明沉积的FeO为具有尖晶石结构的外延...
- 李鹏张乐陶米文博白海力
- 文献传递
- 反应溅射外延半金属Fe3O4薄膜的各向异性和界面耦合
- 半金属Fe3O4具有较高的居里温度(858K)和理论上100％的自旋极化率，是自旋电子学器件的理想候选材料.近年来Fe3O4由于其半金属特性而备受关注.我们采用对向靶反应溅射法在MgO、c–Al2O3、SrTiO3、Nb...
- 李鹏刘晓芬金朝米文博姜恩永白海力
- FexGe100-x颗粒薄膜和Fe/Ge多层薄膜的霍耳效应
- 铁磁性金属-半导体复合薄膜在自旋电子学器件方面的具有潜在的应用前景[1]。上个世纪九十年代,人们在铁磁性金属颗粒薄膜中发现了巨霍耳效应,近来刘等[2]又发现超薄Fe-Ge颗粒薄膜具有很大的霍耳电阻灵敏度,其数值比具有相近...
- 米文博刘宜伟刘晖白海力
- 文献传递
